对向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应理论分析.PDFVIP

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2019-01-29 发布于湖北
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对向列相液晶反转壁中+1缺陷处挠曲电效应理论分析.PDF

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第卷第期液晶与显示３１　８　　 Vol．３１　No．８　　　　　　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年月 q y p y ２０１６８　　　 Au．２０１６ g 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１６０８Ｇ０７４０Ｇ０８对向列相液晶反转壁中缺陷处挠曲＋１电效应的理论分析 , １２３３３∗ , , , 张辉郑桂丽田毅张志东　　 ( , ; １．河北工业大学电子信息工程学院天津３００４０１ , ; ２．天津市电子材料与器件重点实验室天津３００４０１ , ) ３．河北工业大学理学院天津３００４０１ : , 摘要基于等人文章中关于向列相液晶反转壁中缺陷处挠曲电效应的实验现象我们利用 PramodaKumar ＋１ LandauＧ . , deGennes理论给出相应的理论分析当对弱锚定的平行排列向列相液晶盒施加垂直基板的直流电压在反转壁中的 . , 缺陷会发生旋转对于其中的缺陷我们给出了外加电场作用下液晶分子的自由能表达式并通过模拟描述指向 ±１＋１ . 矢的方位角和极角的变化情况给出相应的缺陷处电场驱动的结构变化模拟结果给出的挠曲电效应引起的方位角的变化角度与 PramodaKumar等人的实验得到的在＋１缺陷处消光刷的变化情况是一致的. : ; ; ; 关键词液晶挠曲电效应缺陷理论　　＋１ LandauＧdeGennes 中图分类号: 文献标识码: : / O７５３＋．２　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０７４０ Theoreticalanalsisofthe