光伏组件封装材料对PID性能影响.PDFVIP

第十六届中国光伏学术大会（CPVC16 ）研究简报集 光伏组件封装材料对PID 性能的影响 1,2 2 1 1 1 1,3 殷丽 ，张臻 ，谭小春 ，季志超 ，王子港 ，冯志强 （1.光伏科学与技术国家重点实验室，常州天合光能有限公司 213031 ；2.河海大学机电工程学院， 常州213022 ；3.江苏省光伏科学与工程协同创新中心，常州大学，常州 213164 ） 1 研究背景与内容 电性能，并与组件初始功率相比，查看功 电势诱导衰减（Potential Induced 率的衰减率。从表1我们可看到，使用高 Degradation, PID ）是目前光伏组件户外短 电阻率的EVA确实能够提高组件的抗PID 期失效的主要原因，表现为组件在短期内 性能，而且当EVA 的电阻达到4*1015 以上 迅速出现功率下降，同时多片电池片的EL 时组件衰减率为0.47% ，与用POE膜作为 图片明显变暗。较多研究人员已通过对电 封装材料的组件衰减率达0.3% 的差额较 池工艺、组件材料进行改善，可以极大的 小。通过研究组件衰减率和封装材料电性 提高组件的抗PID 性能[1-4] 。各类研究表 能的数据，可以证实：使用EVA 的体积电 明，PID衰减可以从电池、组件和系统三 阻率越高，PID衰减就越小；若EVA材料 个方面进行预防。本文的研究是基于天合 的电阻率如大于1015，则抗PID效果会更为 光能自主研发的太阳能电池片，结合不同 明显。 性能的封装材料来进行PID性能影响的测 2.2 高系统电压对PID测试的影响 试，得出最优的封装材料选择方案。 光伏组件PID衰减和系统电压有着直 2 研究结果与讨论 接的关系,组件电极相对边框或者大地的 电压差越高,组件PID衰减会越严重。究竟 2.1 不同封装材料PID测试结果 差异会有多大，封装材料是否能够抑制到 从组件端避免PID现象的产生有2种 + PID衰减的产生。本试验将如上封装材料 途径：1）在组件中替换含Na 的玻璃，或 + 的组件应用到-1500直流电压下进行测试， 是降低玻璃中的Na 含量，但这需要花费 进一步研究不同封装材料在不同的系统 很大的成本；（2 ）调整EVA材料性能，选 电压下的PID衰减的变化。 择更优的封装材料，暂时还没有办法直接 表2为结合如上表格中的封装材料， 测试所选的材料是否最优，但业内普遍认 选用同样类型的电池片进行组件封装，在 为，封装材料的体电阻率越大，组件抗PID 85%RH、85℃、加载-1500V的情况下，测 性能越好。针对这一方法，我将通过几组 试192小时的电性能衰减，来对比同一类 试验来表征。表1中是在天合光能自主研 型组件在不同系统电压下的PID衰减情况， 发的电池片上，结合不同封装材料制作成 由于EVA-a在-1000V电压的PID衰减较大， 的组件，在85%RH、8