低电压0.13微米互补式金氧半导体电压控制振荡器和倍频器.PDFVIP

興大工程學刊 第二十一卷 第一期 （二○一○年三月） 46 Journal of Engineering, National Chung Hsing University, Vol. 21, No. 1, pp. 46-53 (2010) 低電壓0.13微米互補式金氧半導體電壓控制振盪器與倍頻器 楊清淵1,* 張智翔2 摘　要 本篇論文描述現實低電壓及高頻率的正交電壓控制振盪及二倍頻電路。在0.5伏特的低電壓操作，可提 供8.8到9.2 GHz 的可調頻率範圍（4 .7%），電路本身所消耗功率為7.2毫瓦。當二倍頻電路操作在9.1 GHz 的頻 率時，其相對的相位雜訊在1 MHz 偏移處為-107 dBc/ Hz ；同時，所對應的正交電壓控制振盪之輸出信號雜 訊為-124 dBc/ Hz在1 MHz 偏移處。 關鍵詞：低電壓、正交壓控振盪器、倍頻器。 LOW VOLTAGE 0.13-μM CMOS VOLTAGE-CONTROLLED OSCILLATOR AND FREQUENCY DOUBLER Ching-Yuan Yang1,* Chih-Hsiang Chang2 ABSTRACT The paper addresses the design and realization of a quadracture voltage-controlled oscillator (QVCO) and a frequency doubling regenerator. Operating from a 0.5-V supply, the proposed circuits provide the tuning range of 8.8 to 9.2 GHz and dissipate below 7.2 mW. At 9.1-GHz carried frequency with doubling-frequency operation, the measured phase noise is -107 dBc/Hz at a 1-MHz offset. Simultaneously, the fundamental frequency output by the QVCO provides the phase noise of -124 dBc/Hz at a 1-MHz offset. Key Words: low-voltage, quadracture voltage-controlled oscillator (QVCO), frequency doubler. 1 國立中興大學電機工程學系副教授 ；Department of Electrical Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan, R.O.C. 2 國立中興大學電機工程學系博士班研究生 * Corresponding Author, E-mail: ycy@dragon.nchu.edu.tw 興大工程學刊 第二十一卷 第一期 （二○一○年三月） 47 一 、前　言 二倍頻放大器為輸出級電路。以倍頻的方式將頻率 提升，這樣的好處可以間接的使得可變頻率範圍也 數十年來科技的進步，使得可攜式產品體積越 可以提升一倍。而且如此可以產生一組9 GH z 的輸 來越輕薄短小，需要待機時間也越來越長，因而訴 出訊號，以及4 .5GH z 的四相位輸出訊號。但相反的 求著低功率低電流消耗一直是晶片設計的工作