低介电常数聚合物材料研究进展.PDFVIP

维普资讯 第20卷第4期 高分子材料科学与工程 v。1．2O，N0．4 2004年 7月 POLYMERMATERIALSSCIENCEAND ENGINEERING Ju1．2004 低介 电常数聚合物材料的研究进展 袭 锴，徐 丹，贾叙东 (南京大学高分子科学与工程系，江苏 南京 210093) 摘要 ：综述 了低介电常数(1ow一志)材料研究的基本情况，以及可用于微 电子领域 的低介 电常数聚合物材 料，包括材料的化学结构和基本物理性质。并着重介绍 了带有纳米孔 的超低介电常数材料的研究进展。 同时，对低介 电常数材料的制备工艺也进行 了简要的总结。 关键词 ：低介电常数 ；聚合物 ；纳米孔 ；聚硅氧烷 中图分类号 ：TB383 文献标识码 ：A 文章编号 ：1000-7555(2004)04—0001—05 1 引言 2 目前主要的low—k材料 当集成电路的特征尺寸减小至 180nm或 从传统意义上可将低介电常数材料分为有 更小时 ，互连寄生的电阻，电容引起的延迟 ，串 机和无机两大类；从引入的低介电基团来看可 扰和能耗已成为发展高速、高密度、低功耗和多 以分为芳族聚合物、含氟材料、硅材料及空气 功能集成电路需解决的瓶颈问题 [1]。互连金属 隙；从结构上可分为本体材料和纳米微孔材料 。 线用 Cu代替Al，层间及线间介质用低介电常 为达到更低的介电常数 ，在实际 low一是材料 中 数 (1ow一是)材料代替SiO：以及线及线间，层及 通常是几种原理同时作用。 层问的几何尺寸、工艺、材料等对电性能和热性 Tab．1收集了一些常见 low一是材料的具体 数据 。本文重点讨论聚合物 low一是材料。 能影响的模拟和优化设计是当今为解决该瓶颈 问题的三项主要技术 。 2．1 本体 low—k材料 2．1．1 芳基聚合物类：很多聚合物的介电常数 SemiconductorManufacturing and Tech— 都很低 (志=2．0--~3．0)，但是能够应用于微电子 nology(SEMATECH)曾经预测 ，2004年对 志 技术中的并木多，关键问题在于大多数聚合物 值的期望在 2以下[引。当然 ，对于任何用于替代 耐温性差 ，一般 都在 200℃以下 ，不能满足 现有 SiOz的低介电常数材料，不仅要求材料的 电子电路和芯片的要求。所以，有应用价值的聚 介电常数尽可能低，还必须同时满足 目前集成 合物一般均含芳基或者含有多元环 ，以增加其 电路对材料的要求[引：①热稳定性在 400℃以 耐温性。早期的低介电常数材料多为芳基聚合 上(。或最高退火温度高于400℃)；②力学强 物，下面介绍几种芳基聚合物材料。 度大；⑧低离子浓度；④击穿电场超过 2MV／ (1)聚酰亚胺 (PI)：二酐与二胺先加聚生成 cm；⑤憎水性；⑥易于图形化和腐蚀；⑦低的热 聚酰胺酸，再加