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单粒子翻转二维成像技术.PDF
第 10 卷 第 5 期 信 息 与 电 子 工 程 Vo1.10,No.5
2012 年 10 月 INFORMATION AND ELECTRONIC ENGINEERING Oct.,2012
文章编号: 1672-2892(2012)05-0608-05
单粒子翻转二维成像技术
1 1 1 1 1 1 1 2 2
史淑廷 ,郭 刚 ,王 鼎 ,刘建成 ,惠 宁 ,沈东军 ,高丽娟 ,苏秀娣 ,陆 虹
(1. 中国原子能科学研究院 核物理所,北京 102413 ;2. 中国电子科技集团公司 第 47 研究所,辽宁 沈阳 110000)
摘 要 :为了给星用半导体器件不同区域的单粒子翻转(SEU)机理研究提供一种高效、可靠手
段,基于北京 HI- 13 串列加速器,从重离子微束辐照技术和存储器单粒子效应检测技术这 2 方面,
对微电子器件 SEU 二维成像测试技术进行了研究,建立了基于虚拟技术的测试系统。利用该成像
技术,对国产 2 kbit 静态随机存储器(SRAM) 的 SEU 敏感区域进行了实验研究,结果与理论结果及
以往手动测试实验结果一致。
关键词 :单粒子翻转成像;重离子微束;随机静态存储器
中图分类号 :TN911.72 ;TP274+ .2 文献标识码:A
Technique of Single Event Upset mapping
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SHI Shu-ting ,GUO Gang ,WANG Ding ,LIU Jian-cheng ,HUI Ning ,
SHEN Dong-jun 1 1 2 2
,GAO Li-juan ,SU Xiu-di ,LU Hong
(1.Department of Nuclear Physics,China Institute of Atomic Energy,Beijing 102413,China;
2.The 47th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shenyang Liaoning 110000,China)
Abstract:To study the Single Event Upset(SEU) mechanism in different regions of Integrated Circuits
(IC),a SEU mapping system was established on heavy ion micro-beam facility in Beijing HI- 13 Tandem
Accelerator. It produces micron-resolution maps when single-event upsets occur during ion irradiation of
integrated circuits. From these upset maps,the identity and size of a circuit ’s upset-prone components can
be directly determined. Utilizin
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