亚10nm二维晶体管性能和界面第一性原理研究.PDFVIP

亚10nm 二维晶体管性能和界面的第一性原理研究 王洋洋 （钱学森空间技术实验室空间技术与应用基础研究部，北京100094） 1 研究背景 目前，半导体芯片产业年销售额达到三千亿美元的体量，其中数字集成电路 占了芯片市场70%份额。现代数字集成电路只基于一种半导体材料——硅，一种 场效应管类型——金属氧化物场效应管（MOSFET ）和一种集成技术——互补型 MOS （由n型MOSFET和p型MOSFET组成）。过去50年，半导体工业一直按照摩尔 定律在不断地缩小晶体管的尺寸，相应地，芯片的功能越来越强大，集成度也越 来越高。2015年国际半导体线路图（ITRS）明确指出，信息技术进入后摩尔定律 时代（“More Moore”、“More than Moore”和“Beyond CMOS”）。在“More Moore”（深度摩尔）层次，三维集成构架和新材料将用于未来晶体管的发展。 面对云存储、大数据和即时数据的应用需求，ITRS指出在缩小特征尺寸的同时， 晶体管优化从侧重于性能提升转向侧重于减少漏电，即所谓的“由功耗驱动的制 程进化 (Power-Driven Technology Transition)”。 急需兼具超低功耗和超高性能 的晶体管，然而随着10nm技术节点的接近，传统Si 晶体管面临着严重短沟道效应 和高成本投入的双重严峻挑战。 在电子学应用方面，二维半导体材料相对于体材料有三大优势：一、超薄甚 至单原子层的厚度，门可控性好，大大地削弱短沟道效应并且有助于器件在纵向 的高密度集成；二、表面平整，无侧向悬挂键，作为沟道材料和介电层间不会有 界面陷阱；相对比，块材沟道的不平整表面会引起迁移率降低，厚度的起伏也会 导致较大的阈值电压波动。三、弯曲性好，适用于制作柔性可穿戴器件。因此， 二维半导体材料被认为很有希望作为未来晶体管的沟道材料。最近，1-10nm栅 极长度的二维MoS 晶体管已经通过多种方法在实验室被制备出来。在实验之前， 2 第一原理模拟研究表明亚10nm MoS 晶体管的开态电流较小，无法满足ITRS的要 2 求。确实，制得的亚10nm MoS 晶体管的开态电流只有几到几百μA/μm量级。受 2 限于其较低的开态电流，MoS 器件响应速度较低，需要寻找其它二维沟道替代 2 材料。当然，亚10nm MoS 的制造工艺可以用于其它亚10nm二维晶体管的开发， 2 但实验往往十分耗时耗力耗财。首先进行第一性原理的计算模拟来研究不同二维 晶体管的性能极限十分必要。 界面效应对于器件的功能和可靠性至关重要。在二维极限下，界面性能对于 器件的影响甚至和沟道材料一样重要。由于缺乏一个可控和稳定的替代掺杂方案， 二维材料器件必须依赖接触金属来注入合适类型的载流子到沟道材料中。由于费 米能钉扎效应，金属和二维半导体接触的界面往往会存在肖特基势垒。肖特基势 垒会阻碍电荷传输，引入额外的接触电阻，降低器件的性能表现。低的接触电阻 对二维逻辑晶体管实现高的开态电流，二维射频晶体管实现高频操作，二维光电 1 探测晶体管实现高的光响应度都至关重要。毋庸置疑，界面是二维半导体应用的 一个主要问题，研究二维晶体管中金属电极接触的肖特基势垒高度，并发现欧姆 型的电极接触对于晶体管应用尤为重要。本文利用第一性原理计算来研究亚 10nm二维晶体管的性能极限和界面性质。 2 研究方法 随着计算机技术的飞速发展，计算能力得到空前提高。计算手段已经被越来 越多地应用到大分子、固体、表面、材料设计合成、生物体系等诸多方面的研究 中。同理论和实验一样，计算模拟已经成为一种重要的科学研究手段。小到原子 大到微米尺度的大型复杂体系都有对应的计算方法可供应用。体系尺度在1~100 nm 范围内，用到的计算方法主要为基于量子力学的第一性原理计算。第一性原 理计算是指不需要任何经验参数输入，仅给定原子种类及排列方式便可得到物质 的各种性质。广义上的第一原理包括两大类：Hartree-Fork 自洽场计算和密度泛 函理论计算。