光电科技领域（含跨领域光电科技研究中心）.PDFVIP

整體目標及分年達成情形：中心之整體目標為逐漸成為國際公認之亞太頂尖 光電中心，也擠身於世界一流的光電中心，如美國Rochester 大學的 Institute of Optics 、Arizona 大學的 Optical Science Center （College of Optical Sciences ）， Central Florida 大學的 CREOL Center （College of Optics and Photonics ），英國 Southampton University的 Optoelectronics Research Centre （ORC ）等之列。在 分年達成量化指標上，中心自 95～99 年總共發表論文數（SCI 、EI 等）超過 800篇，中心核心成員於 96 年精簡為 21 人左右，年度發表論文數由 96 年 145 篇微幅成長至 99 年 153篇，平均每位成員年度發表論文數已達 7篇。另外 95～99 年獲得非國科會計畫總共 89件，總金額逾 1億 2仟萬餘元、技術移 轉件數共 28件，總金額逾 3仟 1佰萬餘元及舉辦 5場國際會議。 與所設目標之差異：基本上已達成所設定的初步目標，整個計畫已經整合精 簡為現有三個強項領域（跨領域光電科 學、奈米／能源光電、光纖通訊）來 集中發展，目前這三個領域也都已經產生具突破性的世界領先成果（見下所 述），能與國際上最好的研究團隊來作競爭。交大光電研究成果在頂級光電期 刊中所發表之論文總數及總引用數已可擠身於世界知名四大光電中心之鄰， 可見我們在論文發表的質與量上應已是國際水準。本中心已經能產生許多具 突破性的研究成果，未來在擴大研究成果的影響性上則還可來作更大的努力。 成果及特色：中心已在跨領域光電科學、奈米 ／能源光電、光纖通訊這三個 強項領域建立起研究特色，並更已在以下幾個研究主題獲得具突破性的領先 研究成果： － 持續領先世界研究團隊製作出可於室溫下操作的電激發連續光 GaN藍光 面射型雷射（ VCSEL ），讓藍光VCSEL雷射元件朝真正實用化邁進一大 步，有機會成為未來藍光光碟的新光源 。其中布拉格反射鏡之關鍵製程 也已獲得日本專利，大為加強國內在藍光雷射上的智慧財產權實力。 2010 年 10月 Compound Semiconductor 雜誌也撰文讚揚此一研究成果，研究團 隊成員更連續三年受邀在 Conference on Lasers and Electro-Optics 1 （CLEO ）國際會議上發表邀請演講。 － 在磊晶技術方面，我們與美國空軍共同開發原子層沉積技術（ ALD ），可 7/cm2 。製作奈米級圖形化基板之技術已在 將氮化鎵磊晶層的缺陷降至 10 台灣、美國等地申請專利，並引起國內磊晶大廠晶元光電以及基板大廠 中美矽晶的高度興趣。在元件製作與萃取效率方面，舉凡像是表面粗化、 奈米柱製作、光子晶體、覆晶製程、薄膜氮化鎵發光二極體等方面都已 有非常好的成果。目前也已針對 LED Efficiency Droop的關鍵瓶頸來作探 討與改善，也已獲得很好的成果，多次被 Compound Semiconductor 雜誌 所報導。 －發展出第一個室溫光激發 GaN 光子晶體面射型雷射，有潛力來製作較高 功率之單模面射型雷射。在室溫下觀察到 ZnO/GaN/AlGaN 半導體微共振 腔結構中的激子（ Exciton ）與光子（Photon ）強耦合交互作用，並且成 功量測到寬能隙半導體中在室溫下最大的共振腔真空 Rabi splitting 效 應，有潛力來製作微共振腔量子光電元件。首度在理論上提出並證明了 量子糾結光固子對的產生與偵測方法，成果發表在 2009 PRL 。 －發展低溫 thin film Silicon solar cell 製程，是 2010 CLEO的邀請論文，並 已有 2010 IEDM論文發表。也發展出具低反射率之奈米 ITO 技術，有潛 力能應用來增進未來太