若干有机半导体材料中载流子传输性能的理论研究物理学原子与分子物理专业论文.docxVIP

摘要本论文主要采用理论模拟计算的方法研究不同结构的有机半导体分子的载流子传 摘要 本论文主要采用理论模拟计算的方法研究不同结构的有机半导体分子的载流子传 输性质。本文采用优化过的计算公式以密度泛函理论为基础结合Marcus．Hush电荷转移 方法来计算有机半导体分子的迁移率数值，来讨论各种不同的因素对于电荷输运性质的 影响。论文主要内容包含以下的三个部分： 第一部分介绍有机半导体的主要应用和本文中采用的理论模型。近年来，对于有机 半导体和相应的材料应用方面的研究已经有了很大的进步。有机半导体材料分子在很多 新型有机材料应用方面，例如在有机薄膜晶体管、有机发光二极管和有机场效应晶体管 等多种现代电子器件应用上，都扮演着重要的角色。介绍论文中使用的密度泛函理论、 Marcus电荷转移理论、简单跃迁模型和研究中使用的具体计算软件。 第二部分主要研究四种N型半导体四氮杂二萘嵌苯衍生物分子和三种简单的低聚 噻吩衍生物分子的迁移性质。研究发现核心位置的取代基对于分子的电荷转移迁移率大 小有很大影响。在四种TAPP衍生物分子中，核心溴取代的衍生物分子的电子迁移率最 大，达到O．521 cnl2V。1S。出现在角度为950和2750的位置，在邻位四个位置溴取代的 TAPP衍生物分子有最好的N型半导体电荷输运性质。在三种低聚噻吩衍生物分子中， 化合物1有最高的电子迁移率数值(0．373 cm2V。S。)，这种分子有较好的N型半导体 性质，而化合物3却有最大的空穴迁移率数值(O．218 cm2V。1S。1)，相应的就有很好的P 型半导体性质。对比它们分子间相互作用，本文发现面对面兀．兀相互作用和S．S键相互 作用对于分子间电荷转移有很大影响。 第三部分主要探讨嵌二萘、NDT、TTF和TTP衍生物分子等有机半导体材料分子 体系的迁移性能。本章主要研究嵌二萘衍生物和四类1vrF(TTP)衍生物的电子和转移 性质。对比不同的分子结构变化对于有机材料的结构．迁移率关系的理论研究，例如不 同位置不同的取代基、主干分子的不同和不同的堆积方式。同时理论模拟计算的前线轨 道能量和实验中测试的基本吻合。基于实验合成的单晶分子和不连贯的跃迁模型，模拟 计算出它们的重组能和迁移积分大小，从而计算出迁移率的数值。在嵌二萘衍生物分子 中，最大的空穴迁移率数值是2,7一二苯基取代衍生物分子(2．945 cm2V。S 1)，最大的电 万方数据 子迁移率是4，5一二硫基嵌二萘衍生物分子(6．24 子迁移率是4，5一二硫基嵌二萘衍生物分子(6．24 cm2V。S 1)。同时在TTF衍生物中，最 大电子和空穴迁移率分别是1．821锄2V小S 1和1．709 cm2V’1‘S 1。这些计算结果表明这些衍 生物分子是有着很好的稳定性和高迁移率的高效率有机半导体分子。在分析中发现，晶 体中分子的堆积方式和取代基造成的结构改变对于电荷传输性质都有很大程度的改变。 吸电子基团(甲氧基和卤素基等)会降低LUMO轨道值，并提高电子迁移率的数值和分子 的稳定性。晶体结构中的层与层平行7【一7【跃迁和人字形跃迁模型都有很高的迁移率数值， 此外兀．71；共轭结构的重叠程度对于分子间的迁移积分的大小也有影响。在本章的最后， 讨论了两个不同晶体界面上的传导性原理，本文发现在两种绝缘有机半导体分子界面上 有很好的金属传导性和较低的电阻大约lO．50 kQ。高迁移率值、简单的制作工艺、低成 本生产和结构的强调整性使这些衍生物分子成为很有前途的有机半导体材料分子。本文 的计算结果为设计更好的新型高迁移率有机分子提供具体理论基础。 关键词：有机半导体材料，密度泛函理论，迁移率，导电性 万方数据 AB AB STRACT We theoretically investigated the electronic and charge·transport properties of organic semiconductors molecules in this work．The charge cartier mobilities in organic semiconductor crystals were calculated by density functional theory(DFT)methods combined with the Marcus·Hush electron—transfer theory．Our thesis consists of the following three aspects： 1．The applications of organic semiconductors and the theoretical method in the paper