多晶硅生产工艺培训课件(ppt).ppt

提纯工序介绍 提纯工序共包括：精馏、罐区、装车台、废气残液处理-1。 精馏作用：分离提纯氯硅烷，得到精制的三氯氢硅、四氯化硅，除去各种杂质。 罐区作用：接收、缓存外部物料，储存提纯工序的各种物料。 装车台作用：装二级三氯氢硅、回收三氯氢硅、工业级四氯化硅、精制四氯化硅等,卸外购三氯氢硅。 废气残液处理-1作用：处理提纯工序产生的废气、残液。 提 纯 本工序分为三部分，其主要功能为： a. 合成精馏：用多级精馏的方法，将来自三氯氢硅合成气干法分离工序的粗三氯氢硅进行精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅； b. 还原精馏：用多级精馏的方法，将从还原尾气干法分离工序中分离出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅循环使用； c. 氢化精馏：用多级精馏的方法将从氢化尾气干法分离工序中分离出并返回的氯硅烷冷凝液精制，得到多晶硅级的精制三氯氢硅循环使用，同时将分离出的四氯化硅与还原精馏中分离出的四氯化硅一起精馏，得到精制四氯化硅送去四氯化硅氢化工序。 合成粗馏工艺流程图 合成精馏工艺流程图 还原精馏工艺流程图  氢化精馏工艺流程图 提 纯 除了设备问题以外，精馏操作过程的影响因素主要有以下几个方面：塔的温度和压力（包括塔顶、塔釜和某些有特殊意义的塔板）；进料状态；进料量；进料组成；进料温度；塔内上升蒸汽速度和蒸发釜的加热量；回流量；塔顶冷剂量；塔顶采出量和塔底采出量。塔的操作就是按照塔顶和塔底产品的组成要求来对这几个影响因素进行调节。 三氯氢硅氢还原的原理及影响因素 1.三氯氢硅还原反应原理 经提纯和净化的SiHCl3和H2，按一定比例进入还原炉，在1080℃～1100℃温度下，SiHCl3被H2还原，生成的硅沉积在发热体硅芯上。 化学方程式： SiHCl3 + H2 Si + 3HCl (主) 同时还发生SiHCl3热分解和SiCl4的还原反应： 4SiHCl3 Si + 3SiCl4 +2H2 SiCl4+ 2H2 Si + 4HCl 以及杂质的还原反应，例如： 2BCl3 + 3H2 → 2B + 6HCl 2PCl3 + 3H2 → 2P + 6HCl 1080℃～1100℃ 1080℃～1100℃ 1080℃～1100℃ 系统吹扫、置换方案的培训 内容提纲 多晶产业现状 硅及其硅的氯化物的简介 目前世界上几种主要的多晶硅生产工艺简介 改良西门子法介绍 改良西门子法的工艺流程 改良西门子法中的核心技术 多晶硅下游产品简介 多晶产业现状 太阳能电池市场现状 煤炭和石油是两大不可再生能源。上个世纪发生的两次石油危机，一方面是对世界经济的极大冲击，但同时也是一次机遇，再加上保护环境，开发绿色能源、替代能源，已被人们预测为改变我们未来10年生活的十大新科技之一。在未来10年内，风力、阳光、地热等替代能源可望供应全世界所需能源的30%。 由于太阳能发电具有充分的清洁性、绝对的安全性、资源的相对广泛性和充足性、长寿命以及免维护性等其它常规能源所不具备的优点，所以光伏能源被认为是二十一世纪最重要的新能源。 硅及其硅的氯化物的简介 一、硅的简介 硅，1823年发现，为世界上第二最丰富的元素——占地壳四分之一，砂石中含有大量的SiO2，也是玻璃和水泥的主要原料，纯硅则用在电子元件上，譬如启动人造卫星一切仪器的太阳能电池，便用得上它。 硅，由于它的一些良好性能和丰富的资源，自一九五三年作为整流二极管元件问世以来，随着硅纯度的不断提高，目前已发展成为电子工业及太阳能产业中应用最广泛的材料。 多晶硅的最终用途主要是用于生产集成电路、分立器件和太阳能电池片的原料。 硅及其硅的氯化物的简介 1.硅的物理性质 硅有晶态和无定形两种同素异形体，晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，具有半导体性质，晶态硅的熔点1416±4℃，沸点3145℃，密度2.33 g/cm3，莫氏硬度为7。 单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列为单一晶核，晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅，如果当这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上，大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须