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光刻胶显影参数 显影温度:显影液最适宜的温度是15到25 ℃，其温度确定后，误差必须控制在±1 ℃以内。 显影时间 显影液量 硅片吸盘 当量浓度（N）：是一个浓度单位，以一升溶解物中溶质的含量为多少克表示。当量浓度代表了其准确的化学组成，决定显影液碱性的强弱。 清洗：用于停止显影工艺，从硅片表面上除去剩余的显影液。 排风：排风是避免影响喷雾显影液的关键因素。低速排风会导致显影模块中雾状显影液的剩余，剩余的显影液会落在硅片上与光刻胶发生反应。 显影后检查 显影后检查的目的：为了查找光刻胶中形成图形的缺陷。 显影后检查出现有问题的硅片有两种处理方法： 1 如果由先前操作造成的硅片问题无法接受，那么硅片就报废； 2 如果问题与光刻胶中图形的质量有关，那么硅片就需要返工； 硅片返工：将硅片表面的光刻胶剥离，然后重新进行光学光刻工艺的过程称为硅片返工。 显影检查的返工流程 1. 气相成底膜 HMDS 2. 旋转涂胶 光刻胶 3. 软烘 4. 对准和曝光 UV光 掩膜版 5. 曝光后烘焙 6. 显影 7. 坚膜烘焙 8. 显影后检查 O2 等离子体 去胶清洗 不合格硅片 合格硅片 离子注入 刻蚀 返工 传统负胶的缺点 1、在显影时曝光区域由溶剂引起的泡涨。这种泡涨使硅片表面的光刻胶图形变形,对于具有微米和亚微米关键尺寸的极细小图形线条来说是不能接受的。 2、曝光时光刻胶可与氮气反应从而抑止其交联。 3：软烘 软烘的目标:除去光刻胶中的溶剂。 软烘的作用:1.提高了粘附性; 2.提升了硅片上光刻胶的均匀性,在刻蚀中得到了更好的线宽控制; 典型的软烘条件:先在热板上90度到100度烘30秒,结下来是在冷板上降温的步骤,以得到光刻胶一致特性的硅片温度控制。 在真空热板上软烘 软烘的目的: 光刻胶中溶剂部分挥发 改善粘附性 改善均匀性 改善抗蚀性 改善线宽控制 优化光刻胶的光吸收特性 热板 硅片 溶剂 排出 腔盖 如果光刻胶胶膜在涂胶后没软烘将出现的问题 1.光刻胶膜发黏并易受颗粒沾污： 2.光刻胶膜来自于旋转涂胶的内在应力将导致粘附性问题; 3.由于溶剂含量过高导致在显影时由于溶解差异,而很难区分曝光和未曝光的光刻胶; 4.光刻胶散发的气体(由于曝光时的热量)可能沾污光学系统的透镜; 4：对准和曝光 工艺小结: 将掩膜版上图形转移到涂胶的硅片上 激活光刻胶中的激活成分 质量指标: 线宽分辨率 套准精度 颗粒和缺陷 UV 光源 掩膜版 光刻胶 ? 光刻机的三个基本目标 1.使硅片表面和石英掩膜版对准并聚焦(包括图形); 2.通过对光刻胶曝光,把高分辨率的投影掩膜版的图形复制到硅片上; 3.在单位时间内产生出足够多的符合产品质量规格的硅片; 版图转移到光刻胶上 单视场曝光,包括:聚焦,对准,曝光,步进和重复过程 紫外光源 投影掩膜版(在投影掩膜版视场内可能包含一个或多芯片个) 快门 承片台在X, Y, Z, 方向控制硅片的位置 投影透镜(缩小的投影掩膜版的视场到硅片表面) 快门再聚焦和对准过程中闭合,而在曝光过程中打开 对准激光 曝光光线波长越短能爆出的特征尺寸就越小。 在曝光过程中,从光源发出的光通过对准的掩膜版.版上有不透明和透明的区域,这些区域形成了转移到硅片表面的图形.曝光的目的就是把版上图形精确地复制成光刻胶上的最终图像。曝光的另一方面是,在所有其它条件相同时,曝光光线波长越短能曝出的特征尺寸就越小.事实上它是缩小硅片特征尺寸的驱动。此外,曝光的光线产生一定的能量,这对光刻胶产生化学反应是必可少的，光刻须均匀地分配到曝光区域.光学光刻需要在短波长下进行强曝光以获得当今精细光刻的关键尺寸。 光学曝光 曝光光源 紫外光用于光刻胶的曝光是因为光刻胶材料与这个特定波长的光反应。波长也很重要,因为较短的波长可以获得光刻胶上较小尺寸的分辨率,现今最常用于光学光刻的两种紫外光源是: 汞灯 准分子激光 除了这些通常使用的光源外,其他用于先进的或特殊应用的光刻胶曝光的源有X射线,电子束,和离子束. 曝光光源的一个重要方面是光的强度,光强被定义为单位面积的功率 典型的高压汞灯的发射光谱 120 100 80 60 40 20 0 200 300 400 500 600 波长 (nm) 相对强度(%) h-line 405 nm g-line 436 nm i-line 365 nm DUV 248 nm 高强度汞灯的发射光谱 汞灯强度峰 抗反射涂层 抗反射涂层使用的原因：曝光光线通过投影掩膜版后在光刻胶上形成图案。在光刻胶下面最终要被刻蚀形成图案的底层薄膜，如果这个底层膜是反光的那么光线将从这个膜层反射并有可