毫伏表主要技术参数与操作使用资料.docxVIP

主要技术参数 用屯量：小于40mA,电池寿命约40至50小吋 量程Q范围：第1量程10至240,第2量程Q范围：50至1200 DDS 幅度温漂：200ppm/°C 信号源温漂，小于0.03%/°C（估计） 主调电容最大值Cmax = 512.4pF 主调电容最小值Cmin = 31.9pF 毫伏表线性度误差：40%量程至满量程误差小于0.5%, 10%至40%小于1%, 5%量程误差4%,小于5%量程误差很大。 毫伏表零点误差：1至2个字 毫伏表温漂：与零点误差有关 毫伏表调零后有效字数：898±20字，与检波器的偏置电压有关 毫伏表矫正输出字数：约1250字 毫伏表频率响应：大于10MHz 激励磁环电压变换比误差:100kHz至10MHz,误差小于0.5% 激励磁环残余电阻：小于3毫欧 激励磁环残余电感：小于20nH 主可变电容残余电感：45nH 主可变残余电阻：未知（中波段约数毫欧，铜损可由趋电阻估计，介质损耗不 好估计） 接线柱及引线的残余电阻：未知（比较大） 场效应管输入阻抗:10MHz,约150千欧（利用数据表估算）；1MHz, 1兆欧; 阻抗估算不含电路板的损耗，考虑电路板的损耗，实际阻抗按70%计算即可 毫伏表输入总阻抗:10MHz, 10兆欧；1MHz, 70兆欧 毫伏表两个两程测量的一致性：在50kHz至10MHz,全部一致，误差通常在 2%以内。低量程换为高量程，会落在20%量程以下，所以误差变大。 自动关机：如果8分钟内，没有键盘操作，系统将自动关机。本电路没有设计 电池电压检测电路，当电池的电压低于3.0V时，Q表无法正常工作，测量值也 不精确，建议用户定期测量电池电压。 测线圈Q值的精度：第1量程屮波段精度一般优于3%,第2量程与接线柱、 可变电容的损耗有关，使用优质电容，中波段误差小于5%,差的电容测不了高 Qo第1量程，6MHz以上，误差小于3%, 8MHz以上，误差5%。测线圈Q值 的精度是读者比较关心的问题，其实这个指标说明不了多少问题，因为线圈的状 态，线圈引线、接线柱等的影响，测电感Q值精度不会很高的。与HPQ表比对, 实测Q=800的线圈，基本相同。Q表受潮时，精度也要下降。所以这个精度只 是参考，实际的精度一般优于以上参考值。 应采用软件系统提供的校准程序（4号菜单）对Q表进行校准，不可使用标准电 感或其它Q表校准它。其它校准法，对此Q表无效。也就是说，制作自Q表， 无需标准电感或标准Q表。 正常情况下，使用一个分布电容小于3pF, Q值为150左右的线圈，主调电容 基木全部旋入，如果3dBQ与比值Q—致，说明Q表的表芯没有问题了。 调试时，可以使用一个Q值己知的电感进行比对，以排除不必要的LC回路损 耗。 LC回路Q值精度：中波段精度1%（请注意分布电容、残余电感的影响，必要 吋要改正），8MHz以上2%,在满量程20%以下，误差变大许多。 TOP Q值的测量原理 比值Q值测原理 在LCR串联电路中，给它施加极低内阻的激励信号源。当电路谐振时，电抗 部分消失，激励信号U1全部加载在R上，当我们测量出电容器C上的电压U2, 那么回路的Q值就是Q=U2/U1 激励信号源采用磁环变压器提供，它能够提供低内阻的信号输出，其损耗可以 忽路不计。变压器的内阻约为1至2毫欧（初级短路时），谐振时，回路的总电阻 一般在1欧姆以上，所以磁环的损耗可以忽略不计，可以认为激励信号全部加载 到R上。实际电路中，初级阻抗小于10欧，等效到次级，阻抗约3毫欧，总内 阻约5毫欧。 因此，事先测量岀激励电压U1,并存入单片机的EEPROW中，平时测量时,只需要测得U2就可计算谐振回路的Q值了。首次使用时，对设备初始化工作中 就要做U1的测量工作，把各频点的上的U1全:部测量出来并保存。 磁环激励信号源会有一些残余电感，约20nH,它与被测电感串联形成一个总 电感参与冋路谐振。被测电感一般远大于20nH,所以残余电感引起冋路感抗变 化也可以忽略不计。当电容的损耗以及电容器的残余电感也可忽略时，所得的Q 值就是线圈的Q值。 偏频法测Q （3dB测Q法） 先找出谐振时的电压QI （Q表的比值Q显示值与谐振电压成正比），计算出 3dB点的电压，即Q2=0.707Ql,然后扫频，找出谐振电压为Q2对应的两个频 率fl和f2,所到屮心谐振频率为f0=（fl+f2）/2,带通宽度为B=（fl-f2）,最后,Q=fO/B 此法测量的频骤比较多，但可以由单片机自动完成。 首次使用须知 首次使用，需按顺序完成以下工作： 1、 进入3?0菜单，设备比值基数。按“C”键清除原来的数据。在此输入磁环 的初次级的匝数比的10倍值。例如激励磁环的初次级匝数比是56:1,请在此输 出560（放大10倍）。按下键确认保存。 2、 进入3?1菜