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第七章 半导体存储器 半导体存储器是能存储大量二值信息的半导体器件。 存储器性能指标：存储容量（109位/片）、存取速度（10ns） 半导体存储器分类 从存取功能分：只读存储器ROM、随机存储器RAM 只读存储器：掩模ROM 、PROM可编程只读存储器、 EPROM可擦除可编程只读存储器 随机存储器：静态RAM（SRAM）、 动态RAM（DRAM） 从制造工艺分：双极型和MOS(CMOS)型 7.1只读存储器（ROM） 1．掩模ROM 存储数据在出厂时已经固化在掩模板里，只能读出。 ROM的电路结构：3部分：存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器。 存储矩阵：由许多存储单元排列组成，存储单元可以存放1位二值代码，每一个或每一组存储单元有一个唯一的地址代码。 地址译码器：将输入的地址代码译成控制信号，将存储器中指定单元的数据送到输出缓冲器。 输出缓冲器：提高存储器的带负载能力， 输出状态的三态控制，与总线连接。 （1）二极管存储单元ROM电路 2位地址输入码、4位数据输出 地址译码器：4个与门组成， 输出4条字线W0--W3 地址线A1A0=00 W0=1 字线被选中 存储矩阵：4个或门组成编码器 当字线Wi高电平时， 数据线（位线）上输 出4位码D0--D3， 有二极管的存储单元为1， 二极管导通，Di高电平。 无二极管存储0。 字线和位线的交叉点 是一个存储单元。 总 结 1、ROM的电路结构3部分：存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器 2、 ROM存储单元不同：①二极管、MOS 管 ②有熔丝的三极管 叫做PROM,③ SIMOS管有浮置栅的MOS管，叫做EPROM。 3、存储容量：存储单元数目=字数×位数（字长），例如：存储容量=1024×8 字数1024=210 , 10位地址码， 地址译码器是10线--1024线的变量译码器。 4、随机存储器RAM电路结构三部分组成：存储矩阵、地址译码器、读/写控制电路。 5、静态SRAM：存储单元可以有RS锁存器等电路构成，没有写入信号，存储信息不变。 动态DRAM：存储单元里的信息（电荷）存在电容上，读出破坏信息，需要不断刷信存储信息。 6、位扩展、字扩展：要考虑扩展前后总的存储容量相等，计算需要芯片数量。 例如：256×4 扩展为4096×8，计算（256×16）×（4×2）需要16×2片256×4的芯片。地址码28 → 212 需要4线—16线译码器。 先位扩展后字扩展。 7、ROM阵列图，实现最小项表达式的组合逻辑电路，最小项与阵列---或阵列。 8、PLA阵列图，实现最简与或式，最简与项---或项。 * 0 0 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 A1 A0 数据输出，输出缓冲器输出 标准逻辑电平。 字线和位线的交叉点是一个存储单元。 存储容量： 存储单元数目=字数×位数（字长） 4×4位 0 （2）MOS管存储单元ROM电路 字线Wi=1 MOS管导通， 有管存1，无管存0。 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 W0 W1 W2 W3 D3 D2 D1 D0 A1 A0 2．可编程只读存储器（PROM） Programmable ROM 设计者自己写入，一次性写入。熔丝型PROM由三极管和快速熔断丝组成， PROM所有存储单元都存入1， 写入0时，将熔丝烧断。 在编程时首先输入地址代码，找出要写0的单元地址， 使VCC和选中的字线（Wi=1）提高到编程所要求的高电平， 同时在编程单元的位线上加入编程脉冲（20V，持续十几微秒），稳压管DZ导通，写入放大器的输出为低电平、低内阻状态，有较大的脉冲电流流过熔丝，将其熔断。 正常工作时，读出放大器AR输出的高电平不足以使DZ导通，AW不工作。 0 1 3．可擦除的可编程只读存储器（EPROM） Erasable Programmable ROM 与PROM区别是采用不同的存储单元，存储的数据可以擦除重写。 用紫外线、电信号可擦除，新一代的电信号可擦除的可编程ROM——快闪存储器（Flash Memory）。 SIMOS管是一个N沟道增强型的MOS管， 有两个重叠的栅极，控制栅Gc和浮置栅Gf。 控制栅Gc用于控制读写，浮置栅Gf长期保存