soi光波导器件及其增透膜的研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

S01光波导器件及其增逢膜的研究S0 S01光波导器件及其增逢膜的研究 S0 I光波导器件及其增透膜的研究 王永进：(微电子学与固体电子学) 指导老师：邹世昌院士张峰研究员 摘要 由于其特殊的结构，SOl(Silicon．on．insulator)材料具有优良的光学和电学性能， 为超大规模集成电路(VLSI．．Very Large Scale Integration)和平面波导技术提供了一个 共同的平台。S01光波导制作工艺与成熟的硅基CMOS工艺相兼容， SOl材料不仅 可以制备无源和有源光电子器件，而且还可以和MEMS器件集成。SOl材料上的光 电器件的单片集成是光电子产业的发展方向。本论文对SOl大截面脊形波导器件及 其相关的增透膜进行了研究。 为减少SOI波导端面菲涅耳反射损耗，寻找合适的增透膜，分别采用PECVD方 法制备了SiN,O，：H薄膜、IBAD方法制备了氨氧化硅薄膜和电子束蒸发的方法制备了 Hf02薄膜。通过椭圆偏振仪、X．ray光电子能谱、分光计等设备，对制备薄膜的光学 性能、成分进行了表征。相关的光学试验结果表明这三种薄膜都是适合硅基光器件的 良好的单层增透膜。其中，在光通信窗口1550nm处，通过镀厚度为185nm的Hf02 单层薄膜，双面抛光硅片的菲涅耳损耗降至O．022dB。对于SOl脊形波导器件，从工 艺的实际实现条件上，PECVD方法制备SiN。O