高压沉积非晶硅锗薄膜及在太阳电池上的应用物理电子学专业论文.docxVIP

摘要中文摘要 摘要 中文摘要 制备多结叠层电池是提高硅基薄膜电池稳定效率的重要手段。非晶硅锗材 料由于带隙可调，宜作为叠层电池子电池的本征层。本文以硅烷和锗烷为反应 源气体，采用RF．PECVD，在高压条件下对非晶硅锗材料的工艺优化进行研究。 旨在提高沉积速率，降低气源成本的基础上，获得满足三结叠层电池要求的非 晶硅锗中间子电池。论文主要内容如下： (1)低压低速条件下非晶硅锗薄膜性能的优化 在低压条件下研究了具体工艺参数对非晶硅锗薄膜性能的影响。通过锗烷 浓度和辉光功率的调整，可以调控薄膜中的锗含量；通过氢稀释率的调整，可 以使非晶硅锗薄膜中的硅、锗组分趋于均匀、微结构趋于有序，达到优化薄膜 光电性能的目的。通过以上工艺优化，在沉积速率为O．8．1X／s的条件下，获得锗 含量为40％，光敏性大于2×105，光学带隙为1．58eV的非晶硅锗材料。低压低 速条件下沉积非晶硅锗薄膜具备较宽松的工艺窗口，可以在较大的工艺范围内 获得高性能材料。 (2)高压条件下非晶硅锗材料性能的优化 在低压低速条件下获得高性能非晶硅锗材料的基础上，通过大幅度提高反 应气压及适当提高功率，使薄膜沉积速率提高三倍以上。通过对比高、低压条 件下制备材料的电学和结构特性，进一步分析了锗含量、功率密度、反应气压、 氢稀释率、滞留时间等因素对高压沉积非晶硅锗薄膜的影响。提出高压沉积非 晶硅锗薄膜宜采用如下工艺优化路