闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理!-中国科技论文在线.PDF

第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 % $ $##% $ ， ， ， MFN,% JF,$ OPQP:PR $##% （ ） ###I-$B#A$##%A% $ A%’0!I#% 2+D2 61L()+2 ()J)+2 $##% +STH, 6SU, (FQ, 闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理! 刘红侠 郑雪峰 郝 跃 （西安电子科技大学微电子学院，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安 !##! ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##% ’ $##% ! ’ 通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流（ ）的产生机理 研究结果表明，在低电场应力下， ()*+ , 其可靠性问题主要是由载流子在氧化层里充放电引起，而在高电场下，陷阱和正电荷辅助的隧穿效应导致浮栅电 荷变化是引起闪速存储器失效的主要原因, 分别计算了高场应力和低场应力两种情况下()*+ 中的稳态电流和瞬 态电流的大小, 关键词：闪速存储器，应力诱生漏电流，电容耦合效应，可靠性 ： ， ， ， !## !-#. !-## !$$#/ !-0#1 的可靠性主要包括两个方面：一是器件的耐久性，是 4 引 言 指经过多次重复擦写循环后器件不会失效；二是器 件的保持特性，是指存储在浮栅上的电荷保持有效 闪速存储器是基于可擦写可编程只读存储器 的能力, 尤其是闪速存储器存储量的越来越大，相 （ ）和电可擦写可编程只读存储器（ ） 应的存储单元尺寸越来越小，在擦写电应力下，由于 56789 556789 发展起来的一种新的非挥发性存储器 通用 带带隧穿（CCD ）等效应会产生界面态和氧化层电 , 556789 与56789 相比，具有价格低、擦除简单等 荷A 陷阱，导致严重的可靠性问题，比如过擦除、工作 ［— ］ 优点，但由于每个存储单元有两只晶体管，开发大容 窗口变窄等$ ’ , 量 是非常困难的 用 工艺制作的两 本文研究采用源边擦除的闪速存储器单元，它 556789 , $ : ! ［］ 管556789 的最大容量为0 ;, 9=?@;= 等 利用 是通过在控制栅加负偏置、在源极加正偏置来实现 ［］ 只有 只晶体管的 单元和新的擦除 编程 擦除的目的B , 闪速存储器单元在擦除过程中会出 556789 A 现由 引