阻变存储器复合材料界面及电极性质研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 24 (2013) 248501 阻变存储器复合材料界面及电极性质研究* 12 1 1 1† 1 1 杨金 周茂秀 徐太龙 代月花 汪家余 罗京 1 1 1 许会芳 蒋先伟 陈军宁 1) ( 安徽大学电子信息工程学院, 合肥 230601 ) 2) ( 淮北师范大学物理与电子信息学院, 淮北 235000 ) ( 2013 年9 月2 日收到; 2013 年9 月24 日收到修改稿) 采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu(111)/HfO (001), Cu(111)/HfO (010), Cu(111)/HfO (100) 2 2 2 三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度. 计算结果表明: Cu(111)/HfO (010) 失配率最小, 界面束缚能最大, 界面体系相对最稳定; 对比电荷密度及电子局域函数图显示, 只有 2 HfO (010) 方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu 电极方向完整连通的电子通道, 表明电子在此方向上具有局域 2 性、连通性, 与阻变存储器(RRAM) 器件导通方向一致; 差分电荷密度图显示, Cu(111)/HfO (010) 复合材料体系界 2 面处存在电荷密度分布重叠的现象, 界面处有电子的相互转移、成键的存在; 进一步计算了Cu(111)/HfO (010) 体系 2 距离界面不同位置的间隙Cu 原子形成能, 表明越靠近界面Cu 原子越容易进入HfO2 体内, 在外加电压下易发生电 化学反应, 从而导致Cu 导电细丝的形成与断裂. 研究结果可为RRAM 存储器的制备及性能的提高提供理论指导和 设计工具. 关键词: 阻变存储器, 复合材料, 界面, 电子通道 PACS: 85.25.Hv, 71.15.Mb, 73.40.c DOI: 10.7498/aps.62.248501 研究表明, 电阻转变过程与电极、阻变层以及 7 1 引言 组成的界面有关 , 电极与阻变层之间的势垒过 高会阻碍电阻开关特性的产生, 而欧姆接触或势 8 近年来, 基于薄膜材料的可逆电致电阻效应的 垒较小有利于电阻开关特性的产生 . 文献[9] 采 阻变随机存取存储器(resistive random access mem- 用不同下电极材料对器件电阻开关特性进行了研 ory, RRAM