学习课件第3章（1）集成门电路.ppt

2. 电源的动态尖峰电流 TTL门电路的功耗等于电源电压VCC和电源电流ICC的乘积,由于VCC=5V为定值,所以ICC的大小就能反映功耗的大小.对于上述电路,稳态时,输出为高电平时的电流ICCH≈1.1mA,输出为低电平时的电流ICCL≈3.4mA。 在动态情况下,特别是当输出电平由低突然变为高的过渡过程中,在某个瞬间,会使门电路中的所有管子均导通,使电源电流出现尖峰脉冲.尖峰电流有时可达40mA。 电源的动态尖峰电流引起的后果: 使电源的平均电流加大.而且,工作频率越高,平均电流增加越多; 2)电源的动态尖峰电流通过电源和地线的内阻,形成系统 内部的噪声源。 3.3.5 其他类型的TTL门电路 具有不同输入、输出结构的门电路 除与非门外,TTL电路产品中还有各种功能的门,如或非门、异或门等。 1.集电极开路门(OC门) (以与非门为例说明) R1 D1 F Vcc(5V) 1.6kΩ R2 4kΩ R3 1kΩ D2 A B T1 T2 T5 输入极 中间极 输出极 A B F 逻辑符号 * 第3章 逻辑门电路 逻辑门：完成一些基本逻辑功能的电子电路。现使用的 主要为集成逻辑门。 首先介绍晶体管的开关特性 着重讨论的TTL门电路的逻辑功能和电气特性 2.1 晶体管的开关特性 在数字电路中,常将半导体二极管,三极管和场效应管作 为开关元件使用。 理想开关: 接通时阻抗为零;断开时阻抗为无穷大; 两状态之间的转换时间为零。 实际半导体开关: 导通时具有一定的内阻;截止时有一定 的反向电流;两状态之间的转换需要时间。 2.1.1 半导体二极管的开关特性 下面以硅二极管为例 D (1) 导通条件及导通时的特点 ID(mA) VD VO 0.5 0 硅二极管伏安特性 D + - Vi 0.7 R 电路图 + - Vi 0.7 R VD 近似等 效电路 + - Vi 0.7 R K 简化等 效电路 (2) 截止条件及截止时的特点 D + - Vi0.5 R 电路图 + - Vi 0.5 R K 简化等 效电路 (3) 开关时间 ① 开启时间: 由反向截止转换为正向导通所需要的时间. 二极管的开启时间很小,可忽略不计。 ②关断时间: 由正向导通转换为反向截止所需要的时间。 二极管的关断时间大约几纳秒。 RC IC Rb IB Vi Vo Vcc 三极管开关电路 (1) 饱和导通条件及饱和时的特点 饱和导通条件: IB≥IBS= ICS β ≈ VCC βRC 饱和导通时的特点: VBE≈0.7V VCE=VCES=0.1~0.3V 发射极和集电极之间如同闭合的开关 2.1.2 半导体三极管的开关特性 (2) 截止条件及截止时的特点 截止条件: VBE0.5V (硅三极管发射结导通电压) 截止时的特点: 发射结和集电结均为反向偏置,IB≈IC≈0, 发射极和集电极之间如同断开的开关。 + _ + _ 0.7V 0.1~0.3V b c e 饱和时 e c b 截止时 三极管开关的近 似直流等效电路 (3) 开关时间 开启时间ton : 三极管由截止到饱和所需要的时间, 纳秒(ns)级。 关断时间toff : 三极管由饱和到截止所需要的时间, 纳秒(ns)级, toff ton 。 toff的大小与工作时三极管饱和导通的深度有关,饱和程度越深, toff 越长,反之则越短。 2.2 分立元件门电路 2.2.1 二极管门电路 1. 二极管与门 A B C F 逻辑符号 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 原理图 假设：二极管为理想开关； 输入信号VIL=0V,VIH=3V. 综上所述:电路为二极管与门 DA DB DC RO VCC(5V) A B C F 分两种情况分析： 1) A、B、C三端输入均为3V 二极管DA、DB、DC均导通 F=3V 3V 3V 3V 3V 2) A、B、C三端输入有0V信号输入时，如A、B为0V, C端输入3V 二极管DA、DB导通,DC截止 F=0V 0V 0V 3V 0V 2. 二极管或门 ≥1 A B C