MEMS加工工艺课件.ppt

* 通过调整玻璃的组分和含量，使其CTE与硅十分接近，避免因为CTE失配引起热应力. 此外，对于410、430温度的键合工艺进行了吹入压缩空气快速冷却，其温度下降趋势较350、380度快 * 410oC键合横断面的SEM图。在Si和玻璃的键合界面处，出现了很明显的扩散层，这证明键合是成功的。 玻璃层的右上角有一个较大的气泡。如何除去气泡也是待研究的问题 * 410oC键合拉断试样的SEM图。在拉断试样发现，强大的键合力迫使硅片本身发生了脆性的断裂，产生的鱼鳞状的断裂形貌是脆性断裂的典型表现， 而键合的渗透层清晰可见 * * * 两片(100)型硅，一片p型，在衬底上外延一层n型硅膜；另一片n型(100)硅膜用各向异性腐蚀法腐蚀出锥形槽； 将两片硅直接键合在一起；腐蚀掉第一片硅的p型衬底（即减薄第一个硅片），并在其上制作离子注入电阻；用抛光的方法，按照设计的尺寸减薄第二片硅，最后形成压力传感器芯片 * 电子束光刻，在扫描电子显微镜基础上发展而来的电子束光刻系统。最先进的系统如Leica光刻公司的100kev VB6HR矢量扫描电子束曝光机，提供了小至几纳米的高斯束探针。激光控制的工作台允许基本图形拼接形成整体图形。这些系统提供了独特的灵活手段，适用于没有最终分辩损失的纳米技术要求的MEMS器件加工。 聚焦离子束光刻，经过10～15年的发展在半导体业内已被接受。其与扫描显微镜，精密刻蚀和淀积的独特结合，能使聚焦离子束设备在MEMS研究中形成最佳的研究与开发的选择方法。很高的探针分辩力还形成了新的机器（小至5nm）。它意味着聚焦离子束方法将在纳米技术的研究与开发中扮演一种非常关键的角色。这种系统通常由一个液态金属离子源提供一束镓离子加速到50kev后在靶材表面产生最大溅射率，扫描探针加工技术（SPL），扫描探针加工技术作为一种无掩模的加工手段，因其所需设备简单和加工精度达纳米量级，正在受到广泛的重视和研究。这项技术可以作刻蚀或者淀积加工，甚至可以用来操纵单个原子和分子。目前SPL已经成功应用到刻划金属（Ti和Cr）、半导体（Si和GaAs）以及绝缘材料（Si3N4和硅烷），还用于自组装单分子（SAM）薄膜上。 * * 例如制作直径5um、厚300um的镍质构件。威斯康星－麦迪逊大学电气工程学教授Henfy Guckel很早开始LIGA研究，研制出直径50~200um、厚度200~300um的镍质齿轮组，并组装成齿轮系 * LIGA技术所胜任的几何结构不受材料特性和结晶方向的限制，可以制造由各种金属材料如镍、铜、金、镍钴合金以及塑料、玻璃、陶瓷等制成的微机械，较硅材料加工技术有一个很大的飞跃 纵向尺寸可达数百微米，最小横向尺寸为1微米，尺寸精度达亚微米级。 * LIGA加工技术包括三个基本步骤，即借助于同步辐射Ｘ光实现深层光刻，将样品浸入电解液中在凹槽处电镀金属以及去除光刻胶和隔离层，制造微塑注模进行微复制注塑成形的微电铸技术。 由于被曝光过的抗蚀剂将被显影除去，该模板即为掩膜覆盖下的未曝光部分的抗蚀层，具有与掩膜图形相同的平面几何图形. 同步辐射X射线除具有普通X射线所具有的波长短、分辨率高、穿透力强等优点外，还具有： 几乎是完全平行的X射线辐射，可进行大焦深(10um)的曝光，减小了几何畸变的影响； 高辐射强度，比普通X射线强度高两个数量级以上，便于利用灵敏度较低但稳定性较好的光刻胶来实现单层胶工艺； 宽的发射频带可以降低Fresnel衍射的影响，有利于获得高的分辨率，并可以根据掩膜材料和抗蚀剂性质选用最佳曝光波长； 曝光时间短，生产率高，时间上具有准均匀辐射特性，有利于曝光过程掩膜的热消散。 LIGA技术要求掩膜的基底抗辐射能力强，稳定性好，掩膜体厚 * * * * * 为了避免使用价格昂贵的同步辐射光，可用近紫外线作为光刻时的替代光源，用一种类似于LIGA技术的工艺，也能加工有较大高宽比的三维微结构。（LIGA和准LIGA工艺的加工局限性在于，它们只能加工直壁结构的立体，而不能加工任意形状的三维立体） * * 1、同步辐射光曝光（吸收结构、薄膜、光阻掩版、光阻、基板） 2、显影（光阻结构） 3、电铸（金属、光阻结构、导基板） 4、模仁（模穴） 5、填模料（塑胶模、复合模型） 6、脱模成形（塑胶结构） * 利用LIGA技术配合分离层技术还可以制造可动微结构。如图，在典型LIGA工艺电铸完成之后，进行有选择性的刻蚀，如利用与光刻胶附着性较好的金属钛作为分离层，在刻蚀后再将金属钛层牺牲掉，形成可动空间 * LIGA技术虽然具有突出的优点，但是它的工艺步骤比较复杂，成本费用昂贵。为了获得Ｘ光源，需要复杂而又昂贵的同步加速器。相对于LIGA加工技术而言，激光微机械加工技术具有工艺简单、成本低等优点，它代表未来MEMS加工技术发展的方