残余应力对压电薄膜材料性能的影响材料物理与化学专业论文.docxVIP

摘 摘 要 压电材料具有可以将机械信号、电信号或热信号进行互相转换 的特征而在通信、释航、精密测嚣、机械、信怠储存等众多领域得 到广泛的应闱。但随着微电子技术的发展和高度集成化趋势对材料 的要求，入们需要有能起刘大块压电材料性能的压电薄膜材料，利 用现代的复合技术将具有不同功能的微尺度材料(或薄膜)复合在一 块集成板上，构成熟有各种优鼻性能的复杂材料体系。因此，压电 薄膜材料的制备和性能研究是目前国际上引起高度关注的研究课 题。缎这种薄膜在制备过程中会经历了一个扶高温至哺亳温的过程， 薄膜材料和衬底材料间的机械失酉己和热失配等，使薄膜和衬底中必 然存在一定的残余应力。薄膜中残余应力的存在有可能弓l起薄膜的 脱落，使构件失效。因此压电薄膜中残余应力的研究是关于压电薄 膜榜料翎备和性能研究鼹燕要内容。 本文首先在引言部分对压电薄膜材料的应用前景、制各方法和 露前的研究现袄送行了评述，基予此，掇离了本文的选题依据，稀 研究压电薄膜材料中的残余应力是基于“压电薄膜的重要应用背景 和残余应力对压电薄膜往麓的可栽影噙”。 我们选择锆钛酸铅Pb(ZrI．xTi。)03(PZT)薄膜作为我们的研究对 象。首先我们割备出了这种薄貘，扶隶《餐大块的锫铰酸铅 Pb(ZrhTix)03(PZT)压电陶瓷靶材入手，借助于)(射线衍射仪得到了 露l备爨蠖能琵较好静靶材豹互艺条件，氇详细主龟分绍了霄鲸冲激光 沉积法(PLD)：flJ金属有机源分解法(MOD)ffi|J备PZT薄膜的实验方 法，鏊底材料酶选择秘电极鞠制作等有关技术滔遂。其次我们僭韵 于x射线衍射仪和扫描电镜对制备的PZT薄膜的微观结构进行了 缨致戆分斩，甭且对各种工艺参数对Pz警薄膜结构的影嚷遴行了讨 论，不仅如此，我们还对PZT薄膜的铁电性能进行了测量和它与制 各工艺的关系遴行了分橱和讨论。 本文的重点是PZT薄膜的残余应力的测量和它与这种簿膜的 性能之阅熬关系酶萋秀究。我们不仅比较好圭篷将x射线衍射的方法焉 于PZT压电薄膜中残余应力的测量，而且还由GLFW和ZCF模型 于PZT压电薄膜中残余应力的测量，而且还由GLFW和ZCF模型 发展了测量薄膜中残余应力的压痕法。我们用这两种方法测量了由 PLD法和MOD法制备的PZT薄膜中的残余应力，提出了一个残余 应力形成机制的简单模型，对残余应力与PZT压电薄膜铁电性能的 关系进行了分析和讨论，得到了一些有意义的结果，即残余应力对 压电薄膜性能有重要的影响。 关键词：PLD法，MOD法，PZT压电薄膜，残余应力，x射 线衍射法，压痕断裂法，铁电性能。 AbstractPiezoelectric Abstract Piezoelectric material can transfer the following information each other：mechanical information，electric information，thermal information， et a1．It has been used in many fields due to the distinct properties． However,one needs its t11in film with the same properties of bulk piezoelectric material with the progress of micro—electric technology and for the age integration beyond the 1 990s into the new century．Therefore， piezoelectric thin film has attracted great interests due to its distinct properties and its wide application in many fields．Due to the structural misfit and thermal misfit of the thin filrns／substrate and the process from hi曲temperature to low temperature during the preparation process of the thin films，residual stress will be produced inevitably between thin film and substrate．The residual stress exits at the interface between thin film and substrate，an