薄膜晶体管制备技术研究物理学专业论文.docxVIP

目 目 录 1． 前言 5 1．1 有源平板显示技术简介 5 1．1．1 TFT．LCD 5 1．1．2 TFT．oLED 6 1．1．3 TFT．EPD 7 1．1．4 柔性显示 8 1．2 TFT研究状况简介 l O 1．2．1 引言 一l 0 1．2．2 TFT结构及基本原理 。l 0 1．2．3 低温硅基TFT ．．1 2 1．2．3．1 a．Si TFT ．．1 2 1．2．3．2 nc．Si TFT 1 9 1．2．4 氧化物TFT ．．20 1．2．4．1 a．IGZO TFT ．．20 1．2．4．2 P．TFT 24 1．2．5 总结 24 1．3 本文的研究内容 ．．26 2．a-Si：H TFT制备技术研究 27 2．1 引言 ．27 2．2 a．Si：H薄膜制备与表征 ．27 2．3 绝缘层对TFT性能的影响 28 2．3．1 Si02绝缘层 ．．28 2．3．2 SiN。绝缘层 ．．29 2．4 塑料基底TFT ．29 2．5 本章小结 ．30 3，a．IGZO TFT制备技术研究 ．32 3．1 引言 32 3．2 退火对a．IGZO TFT性能的影响 ．．32 3．2．1 a．IGZO薄膜制备与表征 ．32 3．2．2 a．IGZO TFT制备工艺及TFT性能 33 3．2．3 小结 35 3．3 绝缘层对a．IGZO TFT性能的影响 ．．35 3 3．3．1 3．3．1 绝缘层性能表征 。35 3．3．2 a-IGZO TFT性能 ．36 3．3．3 小结 40 3．4 氧空位对TFT性能的影响 4l 3．4．1 a—IGZO薄膜表征 ．4l 3．4．2 a-IGZO TFT性能 。42 3．4．3 小结 47 3．5 保护层技术 ．48 3．6 a—IGZON TFT ．50 3．6．1 a-IGZON薄膜表征 ．．50 3．6．2 a—IGZON TFT电学性能 ．．5 1 3．6．3 光敏性能 52 3．6．4 N对TFT性能的影响 ．54 3．6．5 小结 55 3．7 可靠性 ．56 3．7．1 环境的水氧稳定性 ．．56 3．7．2 电学和光学稳定性 ．．58 3．7．3 温度稳定性 一62 3．7．4 小结 64 3．8 本章小结 ．．65 全文总结 ～66 4．1．1 总结 。66 4．1．2 创新点 ．．67 4．1．3 展望 ．．67 4 1．前言1．1有源平板显示技术简介 1．前言 1．1有源平板显示技术简介 1．1．1 TFT．LCD 在当今世界信息化的时代中，显示技术在信息技术的发展中占据着重要的 地位。自上世纪90年代以来，随着显示技术的革新和市场需求的急剧增加，平 板显示器(Flat panel display，FPD)具有体积小、重量轻、耗电省、辐射小、电磁 兼容性好等一系列优点，而且随着显示工艺技术的不断突破，FPD的亮度、视 角、全彩色等性能已经可以和阴极射线管显示器相媲美，FPD技术取得了极大 的发展。 1有源矩阵(Active matix，AM)驱动方式，指的是和单矩阵无源(Passive matix， PM)驱动方式相对应的FPD的一种点阵式寻址方法，目前在FPD中得到广泛应 用。即把点阵型的显示器件，按行列形式排好，各个器件均与行、列驱动配线 群分别相连；每个器件上再添加由TFT组成的AM驱动电路。AMFPD已成为 当前和未来FPD的主流技术。图1为AMFPD显示原理简图。按显示材料分类， AMFPD常包括液晶显示(1iquid crystal displays，LCD)、有机发光二极管显示 (organic light—emitting diodes，OLED)署U电泳显不(electrophoretic displays，EPD) 等。 图2为AMFPD驱动结构及其简化电路模型，即在每个像素设置一个TFT 开关和信号电荷存储电容。TFT源极是矩阵中垂直列电极Y所在的数据线，漏 极接像素电容及存储电容，在栅极上接水平电极x所在的扫描线信号。这样通 过有源器件把数据信号传送给像素电容实现显示，避免了PM驱动中的交叉串 扰效应，并使像素具有信号存储功能，从而突破了对扫描电极行数的限制，原 理上能实现近于100％占空比的静态驱动效果。由此可见TFT是AMFPD的关键 器件。 Cn阳m,mo舰nnKt础—，|_■·■。’_o·___z． ．／气 =一黼H一蜘．—■豳■妇誓L==^二／ 霹籍图1 AMFPD显示原理简图 ’一 n Lc¨ 图2 AMFPD驱动结构及其简化电路模型 AMLCD是FPD的代表，它利用液晶分子在电场、磁场、温度、应力等外 AMLCD是FPD的代表，它利用液晶分子在电场、磁场、温度、应力等外 部作用下分子结构重新