叠对量测图样最佳化设计-AOIEA自动光学检测设备联盟.PDF

疊對量測圖樣最佳化設計 李雅萍 顧逸霞 童啟弘 量測中心 量測中心 量測中心 ypli@itri.org.tw yku@itri.org.tw chtung@itri.org.tw 摘要 為了要降低 WIS(wafer induce shift)對微影疊對誤差量的影響許多研究報告紛紛顯, 示未來的趨勢為縮小微影疊對圖樣的尺寸以及改變放置微影疊對圖樣的位置使其接近 主動面積(active area)或是直接將微影疊對圖樣放在主動面積裡。但是當微影疊對圖樣的 尺寸愈來愈接近晶片內最小設計尺寸 (in-chip design rule)時，由於超越了繞射極限的緣 故，經由顯微鏡觀察到的影像會變的模糊而難以辨識，在這種情況下雖然仍然可以觀察 到一些影像非對稱的現象，但是用來分析傳統微影疊對圖樣(box-in-box, BIB)的演算法 勢必難以用來分析晶片內微影疊對圖樣(in-chip overlay target) ，有鑒於此，我們發展出 新的演算法用來分析這種微小化的微影疊對圖樣。 本文中我們建立出一套數值演算法用來模擬整個疊對圖樣的量測系統模型，Thin Film Model ，並經由與NIST發展的數值理論模型比較，確定了本數值演算法所用來模 擬整個疊對圖樣影像的正確性。除了可正確的模擬出因為錯位而產生非對稱現象的影 像，並發展分析非對稱性與微影疊對錯位量關係的演算法。 為了配合微影疊對圖樣的線寬可能縮至 65nm或更小及尺寸上之縮小，我們利用所建立 之 Thin Film Model理論模擬結果找出 in-chip overlay target在 offset及之最佳尺寸參數、 線寬及最佳光學參數，並在尋求最佳參數之際找出是否有更佳之分析非對稱性之數學理 論。 關鍵字：自動光學檢測、 AOI 壹、前言 ： 為了要降低WIS(wafer induce shift)對微影疊對誤差量的影響許多研究報告, (1)紛紛顯 示未來的趨勢為縮小微影疊對圖樣的尺寸以及改變放置微影疊對圖樣的位置使其接近 主動面積(active area)或是直接將微影疊對圖樣放在主動面積裡。但是當微影疊對圖樣的 尺寸愈來愈接近晶片內最小設計尺寸 (in-chip design rule)時，由於超越了繞射極限的緣 故，經由顯微鏡觀察到的影像會變的模糊而難以辨識，在這種情況下雖然仍然可以觀察 到一些影像非對稱的現象，但是用來分析傳統微影疊對圖樣(box-in-box, BiB)的演算法勢 必難以用來分析晶片內微影疊對圖樣(in-chip overlay target) ，有鑒於此，發展出新的演 算法 Thin Film Model用來分析這種微小化的微影疊對圖樣。為了配合微影疊對圖樣的 線寬可能縮至 65nm或更小及尺寸上之縮小，本文利用所建立之 Thin Film Model理論模 擬結果找出in-chip overlay target 之最佳尺寸參數及最佳光學參數。 1 貳、 Thin Film Model ： 本模擬系統使用之數值模型詳述如下，首先在計算遠場影像強度分佈之前，要先計 算疊對圖樣物件近場分佈函數，即 target Function ，為了避免解繁瑣的電磁撥傳導方程 式，我們採用計算薄膜反射率穿透率的transfer matrix method(2) ，其公式如下： ⎡ i ⎤ B 1 ⎡ ⎤ ⎢ cosδ η sin δ ⎥⎡ ⎤