碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究-西北有色金属研究院.PDFVIP

第43 卷 第4 期 稀有金属材料与工程 Vol.43, No.4 2014 年 4 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING April 2014 碘输运剂对CVT 法制备ZnSe 单晶的性能影响研究 1 1 2 1 刘翠霞 ，坚增运 ，罗 贤 ，王宇鹏 ( 1. 西安工业大学，陕西 西安 710032) (2. 西北工业大学，陕西 西安 710072) 摘 要：采用I2 作为输运剂，以单质Zn 和 Se 为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe 晶体。比较了不同I2 含量下所生 长 ZnSe 晶体的性能，借助XRD 、SEM 和 EDS 检测方法分析了 ZnSe 晶体的结构、形貌和成分。结果表明：I2 含量对 ZnSe 晶体性能具有重要的影响，通过比较3 组I2 含量所制备的ZnSe 晶体，确定出当I2 含量为4 mg/cm3 时，所生长的 ZnSe 晶体具有较好的结晶质量，其晶格常数为5.668 nm 。测定ZnSe 中Zn 与Se 的原子分数比为1:0.99，且只有1 个衍 射峰（2θ=27.2°），其晶面指数为（111）。SEM 图像表面比较平滑，没有明显气孔。在此条件下，ZnSe 晶体的红外透过 性能最好，红外透过率为 53.07%~62.61% 。其他两种I2 含量下所生长的 ZnSe 晶体结晶质量较差，XRD 图谱显示有多 个衍射峰，SEM 图像表面凹凸不平，有明显气泡和孔洞，并且其红外透过率较低。 关键词：ZnSe 晶体；化学气相输运法；碘输运剂 中图法分类号：TN304.2 ；O731 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2014)04-0866-04 ZnSe 晶体属于直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体，其室温时 在 Zn-Se-I2 系统的晶体生长过程中，I2 作为输运 禁带宽度为 2.67 eV ，在4.2 K 时禁带宽度可达2.828 剂，在源区与单质 Zn 发生反应生成 ZnI ，之后被输 2 eV 。具有较宽的透光范围(0.5~20 μm) ；较高的发光效 运到生长区。在生长区，ZnI2 与Se2 反应生成ZnSe 晶 [7,8] 率，较低的吸收系数等优异的性能，已成为蓝光半导体 核，晶核长大形成 ZnSe 晶体 。此时，生成的I2 在 激光器件、非线性光热器件和红外器件等领域的热门材 温度场的作用下重新回到源区继续参与输运反应，整 [1,2] [3] 料 。Li 等人 已经制备出ZnSe 单晶，但是由于其尺 个过程可以用下列化学反应表示： 寸较小，无法满足工业用ZnSe 单晶的尺寸要求，而且 源区：Zn(g)+I (g)=ZnI (g) （1）