第三章实验数据分析.PDFVIP

第三章 實驗數據分析 3.1 氯化鉀在矽(100)晶面上的生成機制 本實驗是研究氯化鉀在Si(100) -2×1:表面上的生成機制與原子結構。首先我們 在乾淨的Si(100)-2×1 表面上飽和吸附Cl 氣體 ，所用的方法為曝氣Cl 氣體 ，使真空 2 2 -9 腔內部壓力達 5×10 torr持續 1 分鐘 ，Cl 分子會裂解成Cl吸附在Si(100)-2×1 表面的 2 斷鍵上 。完成曝氯後的樣品表面 ，每個Si原子上面都接了一個Cl原子 ，其覆蓋率就 可稱為 1 ML ，如圖 3.1.1 所示。 2 圖 3.1.1 1MLCl on Si(100) -2×1 ，區域為20×15 nm ；Vsample=+2.36V 。 曝氣 1ML的Cl 氣體後 ，我們等待真空系統內部的基本氣壓回復至 3× 10-10 torr 2 以下。接著我們加電流 5.2A(約 660℃；氣壓約維持在 5× 10-9 torr附近)於鹼金屬分 散器 ，蒸鍍 16 秒的鉀在Si(100) -2×1: Cl表面上 ，此時鉀原子會於樣品表面上游走， 並且漸漸的與表面上的氯鍵結成氯化鉀，並且慢慢擴大範圍形成氯化鉀薄層，我 們可由圖 3.1.2(a)~(f)一系列的STM影像觀察出此現像。 28 圖 3.1.2 (a)~(f). 下列圖示為蒸鍍 16 秒的鉀在Si(100) -2×1: Cl表面上的STM影 像， 圖中暗色區域為氯化鉀薄層；Vsample=+2.83V 。 29 觀察圖 3.1.2(a) 、(b)中白色方格內的暗色區域我們可以明顯發現其範圍逐漸擴 大 ，顯示氯化鉀薄層正在成長 ，而由接下來的(c) 、(d)圖中的右邊方格內也可看出 氯化鉀正逐漸形成。 30 由圖 3.1.2(e) 、(f)中我們可以觀察到白色方格內的區域與前面的圖比較 ，已逐 漸完整變成暗色區域並且繼續擴大。 31 由圖 3.1.2 的(a)~(f)中我們可以觀察出 ，當我們在曝滿 1ML 氯的矽晶圓表面蒸 鍍上鉀後，會有一些較暗的區域出現，這是因為氯和鉀鍵結形成的氯化鉀薄層為 絕緣體，所以穿遂電流較小使得針尖在掃描時須較靠近表面，並且這些區域的面 積也隨著掃描時間的增長而增加，因此我們可以推論在蒸鍍上鉀後，鉀原子會在 樣品表面上移動然後與氯鍵結，能量會因此而降低，所以鉀會傾向不斷的與氯鍵 結擴大形成氯化鉀的面積，降低系統的表面能量，其原子結構的鍵結形式我們會 在後面的章節加以討論。 由圖 3.1.2 的(a)~(f)中我們除了可以觀察出氯化鉀薄層面積逐漸擴大之外，在 這數張圖中還可以明顯的發現氯化鉀離子是在表面上以單層的氯化鉀薄層在表面 擴大 ，如圖 3.1.3 所示 ，因為在圖中我們並沒有發現除了暗色區域以外的表面高度 差，所以我們可以推論出氯化鉀離子偶極矩的方向在此實驗中是以平行於表面的 方式來排列。 圖 3.1.3 氯化鉀在矽表面成長示意圖，(a)氯化鉀偶極矩方向平行於表面、(b)氯化 鉀以單層的成長方式在表面擴散。 32 3.2 氯化鉀在矽(100)晶面上的原子結構 在過去的相關文獻中，大多都是直接蒸鍍離子固體到樣品表面上，例如在 Sokolowski的實驗中是用STM觀察直接蒸鍍NaCl在Ge(100)上的表面結構[9] 。而我 們的實驗則是分別曝氯氣和蒸鍍鉀到矽(100)的表面上後再用STM觀察它們在矽 (100)晶面上的原子結構 ，然後改變曝氣與蒸鍍的順序 ；先蒸鍍鉀再曝滿 1ML的氯 ， 以STM研究兩者在表面上的原子結構。以此方法我們可以得到以矽(1