LED发展趋势与模拟分析研讨会.ppt

2006/08/31 LED發展趨勢與模擬分析研討會 / 郭艷光博士 LED發展趨勢與模擬分析研討會 彰化師大藍光雷射實驗室 實驗室負責人：郭艷光老師 實驗室成立時間：1998年7月 實驗室成立背景：配合物理系推動之「藍光雷射計畫」，執行氮化銦鎵(InGaN)半導體雷射的元件設計、以及光學量測的研究工作。 實驗室主要的研究能量 本實驗室主要利用光激螢光法與電激螢光法來研究半導體雷射(LD)與發光二極體(LED)等光電半導體材料之光學與電子特性。此外，本實驗室之光學系統亦可量測穿透/吸收/反射光譜與拉曼光譜。 光電實驗之外，我們也從事雷射二極體、發光二極體、與固態雷射的數值模擬與分析，使用的軟體包括LASTIP、PICS3D、APSYS、CASTEP、MATLAB等。 目前研究以『數值模擬與分析』為主。 郭艷光實驗室最近研究主題 InGaN LD/LED/VCSEL (200 nm l 570 nm) AlGaInP LD/LED/VCSEL (570 nm l 680 nm) AlGaInAs/InGaAsP/AlGaAs LD/LED/VCSEL (l = 1.3 mm, 1.55 mm, 850 nm) InGaAsN/InGaAsNSb LD/VCSEL (l = 1.3 mm, 1.55 mm) 有機發光二極體(Organic OLED, OLED) 郭艷光實驗室主要軟體資源 LASTIP模擬軟體 (側射型半導體雷射 …) PICS3D模擬軟體 (面射型半導體雷射、DFB雷射、Self-Pulsation雷射 …) APSYS模擬軟體 (OLED、LED、RC-LED、太陽能電池、光偵測器、HEMT …) 國家高速電腦中心提供之CASTEP模擬軟體 (半導體能帶結構、光學與材料特性 …) 自購之MATLAB模擬軟體 (固態雷射、Passive Q-switching …) 郭艷光實驗室主要硬體設備 光學桌 (2台) 氦氖雷射 (632.8nm紅光光源) 氬離子雷射 (488nm藍光, 514.5nm綠光, 351.1nm紫外線光源) Nd:YAG雷射 (EO Q-switched, 1064/532/355/266 nm) 單色分光儀與鹵素燈寬頻光源 (穿透, 吸收, 反射頻譜測量) 波長選擇器 (Birefringent Filter) 發光二極體(LED/OLED)亮度與I-V特性測量儀 (PC-controlled) 半導體雷射/發光二極體電流源 (PC-controlled current source) 密閉式低溫系統 (10K ~ 325K) 液態氮冷卻電荷耦合器(CCD)光偵測器 (1340×100 Pixels) 鎖相放大器 (Lock-in Amplifier) 光電增倍管 (Photo-Multiplier Tube) 功率計 (Power Meters) (3組) 半導體摻雜濃度測量儀 (ECV, 適用於GaN系統) 快速示波器 (500 MHz Bandwidth, 5 GHz Sampling Rate) 快速光偵測器 (Response time ~ 1 ns) 研 討 宗 旨 在政府積極推動光電半導體以及面板產業下，發光二極體(LED)、雷射二極體(LD)、面射型雷射(VCSEL)、有機發光二極體(OLED)等光電元件，在眾多產業中前景持續看好。 最近，在白光LED、DVD系統、光纖通訊、與超薄顯示面板的強烈市場需求下，紫外線LED、高功率雷射二極體、面射型雷射、以及OLED元件的研發工作，更是受到業界與學界的高度重視。 在本研討會中，我們將以實際範例，從模擬分析的觀點說明LED、LD、VCSEL、OLED的設計準則，並且從各方面探討上述元件的光電特性與性能，希望演講內容能對與會人員有所幫助。 模擬分析與元件設計 使用模擬軟體除了可以省下大量嘗試錯誤的時間，並且可以節省研發經費，取得量產的先機。 一個成熟的模擬軟體可以用來設計LED、LD、VCSEL、OLED等元件結構，預測元件的光學與電子特性，進而改善元件的性能，甚至可以用來研發新產品。 在本研討會中，除了回顧近年來的光電半導體元件研發與產業發展趨勢，以及介紹光電半導體元件的基本工作原理之外，並將以實際設計經驗為例，說明LED、LD、VCSEL、OLED的設計準則，並且從L-I、I-V、熱效應、壓電效應、載子分佈、自發輻射與受激放射速率、微共振腔效應、發光頻譜、與遠場場型等方面，探討上述元件的光電特性與性能。 這一些範例，大部分都與國內著名的學術與產業機構合作，有實驗數據可以相互驗證，因此相當具有參考價值。 設計與分析工具的使用 紫外線LED：APSYS模擬軟體 392-461 nm藍紫光雷射二極體：LASTIP模擬