纳米压印制备的光子晶体结构对AlGaN基材料深紫外出光效率的提高.PDF

第35卷摇 第8期 发摇 光摇 学摇 报 Vol郾35 No郾8 2014年8月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE Aug. ,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)08鄄0998鄄05 纳米压印制备的光子晶体结构 对 AlGaN基材料深紫外出光效率的提高 蔡钧安,秦志新* (北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京摇 100871) 摘要:通过利用阳极氧化铝的方法制备高度有序的光子晶体结构作为纳米压印模板,将大面积光子晶体图 案转移到了样品表面,解决了国际上小尺寸光子晶体制备困难的问题。 采用纳米压印的方法在AlGaN基样 品表面上制备了290 nm 的周期光子晶体结构,并将表面具有光子晶体结构的AlGaN基样品正面出光强度提 高121%。 偏振特性的实验结果表明六角排列的孔状光子晶体将原来朝向样品侧面传播的TE偏振光偏折转 向正面,从而增加光抽取效率,改变出光偏振度。 指出远场角分辨图案的变化归因于光子晶体对出光的衍射 和Bragg散射效果。 实验中采用的创新性工艺可以用来制备具有高出光效率的深紫外发光二极管。 关摇 键摇 词:出光效率;深紫外光;阳极氧化铝;光子晶体;偏振特性 中图分类号:TN303;TN304 摇 摇 摇 文献标识码:A摇 摇 摇 DOI:10.3788/ fgx0998 Enhancement of Deep鄄UV Light Extraction Efficiency from Bulk AlGaN with Photonic Crystals Fabricated by Nanoimprint Lithography CAI Jun鄄an,QIN Zhi鄄xin* (StateKey Laboratory of ArtificialMicrostructure andMesoscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China) *Corresponding Author,E鄄mail:zxqin@ Abstract:Photonic crystal structuresof290 nmperiodwerefabricatedonthe surfaceof AlGaNlayer by nanoimprintlithography. Highly orderedporousanodicaluminumoxidewasadoptedasaconven鄄 ient approachforlargeareaof PhCpatterntransferred. Incontrasttoaplanar sample,bothintensity and radiation profile of surface emission from AlGaN materials with PhCs structures were improved significantly. Honeycomb PhC structures deflected the original in鄄plane vector of TE guided light. The modified radiation profile was attributed to the diffraction and Bragg scattering effects of PhCs. The resultswouldbehelpfultoenhancingsurfacingemissionandamelioratepolarizationpropertiesof deep鄄UV LEDs. Key words:lightextractionefficiency;dee