用直接模拟法分析量子阱半导体激光器瞬态响应.pdf

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2019-03-02 发布于天津
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29 7 光子学报Vo 1.29 No. 7 2000 7 ACTA PHOTONICA SINICA July 2000 张晓霞　潘　炜　罗　斌　吕鸿昌　陈建国 (, 610031) 根据光增益与载流子密度的对数关系, 通适应于多量子阱激光器的速率方程的直接模拟分析, 得到了注入电流、阱数和腔长对多量子阱激光器的激射阈值、开关延迟时间、弛豫振荡频率和光输出等参量之间的依赖关系. 运用相图确立了在瞬态程中, 载流子数密度和光子数密度之间的转化程. 从而为改善量子阱激光器的高频调制特性以及优化设计器件结构参数提供了理论依据 . 　　多量子阱激光器; 瞬态响应; 增益饱和; 相图 0 , , , . , , , 1 . . MQW , , , , 4 , A N + BN 2 + CN 3 1 ( ) ( 1) 25 g g ln 2 3 , . A N t + BN t + CN t g 0 ,A ( MQW) , MQW ,B , C. (A C 0) , , , g 2g 0ln(N / N t) ( 2) MQW , MQW , , . ( SQW) . MQW . SQW M , , MQW 6 . / / - - / c ( 3) dN dt I eM V g S N 1 dS / dt M 0g S - S / p + N / c ( 4) MQW ,N S , ( - t ) ( .I , g a N N a , p , ,N t ) . , c , , 0 MQW MQW , V , M 铁道部科技发展计划(97×21) 和四川省青年科技基金资助项目　收稿日期: 1999—12—16 652 光子学报　　　