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电子材料快报 光 印刷 以及彩色显示等方面都有极具潜能的应用前景 。 值得一提的是 ，现在研制 的GaN系的半导体激光器波长在 420nm左右 ，属于蓝色范 围，而 ZnSe系的半导体激光器渡长在 520nm左右 ，属于绿色范 围。而红绿蓝是组成缤纷 色彩 的三种基本颜色 ，因此 GaN 系的蓝色激光 ．ZnSe系的绿色激光器 以及现 已大量使用 的 I— V族磷化物系的红色激光器将使我们 的世界更加绚丽多彩 。 在 ZnSe单晶生长中遇到过种 种困难 ，其高熔点 (1525℃)和 ZaSe中晶核原子的高蒸 气压使其难于生长单 晶。而且 ，在 ZnSe熔点温度 以下 (1425~C)时，晶体结构会从纤锌矿 向闶锌矿转变 ，在生长过程 中从相应熔体中产生孪 晶，因而采用了其它 的生长方法以期有 所改善 。 气相输运法可 以进行低温生长 ，且报导了用引晶法生长 ZnSe单晶。固态再结晶技术 可用低温生 睦，用这种方法获得了高纯度、结构完美的太尺寸 (20cm)ZnSe单晶。 然而，熔融生长仍不失为极具吸引力的好方法，因为该方法更具生产性并且更适合于 获取大尺寸的体单晶。ZnS．e单 晶通常是在无籽 晶的情况下从熔体中生长 ，因为单 晶籽 晶 (singlecrystallineseed)由于 ZnSe晶体结构 的转换而变成 多晶体 。生长炉底部的毛细作用 或细晶粒提供了籽晶的生长 。在无籽晶的生长 中，晶体与晶体的晶向是各不相 同的、围而 必须找到每个 晶体 的所 需晶向并将其切成 品片 。为此 ，晶向控制也就显得非常重要 ， Rudolph等人用布里奇曼法采用与生长晶体相 同直径 的耔 晶从熔体 中生长了 ZnSe晶体 ． 用含有}午多 (1】】)孪晶平面的单 晶作籽晶 生长后耔晶变成多晶 他们获得了27ram直径 拍孪 晶较 少 的 ZnSe KiKuma和 Shiohara采用布里奇 曼法在 [111]Zn一 ，[1l1]se一和 [0113晶向、相对小直径 (O．5ram)多孪 晶的籽晶上生长了ZnSe晶体 大多数 ZnSe晶体都 是在籽 晶晶体上外延生长的 具有 2，4mm直径的籽晶转换成多晶．结果生长的晶体变成 多晶体 ，对小直径和孪晶严重的籽晶，沿着与 (儿 1]轴平行 的[00013方 向加热时会发生闪 锌矿 向纤锌矿 (zincblendetowurtzite)转变 ．与加热过程变化正相反 ，结果生长后保 留了 它们 的晶向作为它们籽 晶的原始 晶向 为了减少孪 晶，生长 ZnSe晶体采用 岛0 密封剂 ，用液态薄膜覆盖晶体表面 ，克服 由 于晶体与生长炉壁之间接触面引起的问题 。znSe晶体结构转化的核化位置就是晶体的表 面 ，在这里 ，由于 晶体和炉壁之间异质界面的异常特蛙而使能量势垒降低 B0。密封剂将 晶体和炉壁隔离开来 ，防止 晶体结构转变 。B20。在减少挛 晶的产生 中起到了非常重要的 作 用。 美晶体结构的晶体更是极其重要 的条件 波兰科学院物理研究所的A．Myeielski等八采 一 9 一 2000 No．3 用物理气相输运法 (physicalvaportransportPVT)怍为 Cdl…ZnTe(xO．25)和 ZnTe的 单晶生长工艺 ，并生长 出这些化合物 的大尺寸单 晶。他们给 出了衬底 晶体特性和 PVT工 艺所用源 的材 料实验 结果 所用无孪 晶单 晶体 (园柱形)通常为 20--30mm长 ，直径 25mm。用多线切割的方法沿 X射线定 向的单 晶衬 腐方 向进 行切 割 。制 备 出各种 衬底 表 面 (郎平 行 于 (100)，(110)， (111)，(2l1)，(3I】)晶面 ) 确定并制 备 出后三种 晶 向的 晶体的 Te面 用 4ml：75ml； 125mi比例 的澳 (bromine)，乙二醇 (ethyleneglyco1)和 甲醇 (methanoi)混合物 化学腐蚀抛 光衬腐的 “epi-- ready”表 面。 衬底晶体的晶体结构质量 由菲利普斯高分辨率衍射仪 (Philipsresolutiondiffractome- ter)测定的x射线摆动曲线控制 。报告 中给 出了Zn