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第 46 卷第 11 期 中南大学学报( 自然科学版) Vol.46 No.11 2015 年 11 月 Journal of Central South University (Science and Technology) Nov. 2015 DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2015.11.008 通过测量晶格畸变研究Si 和Cu 对Al-Si 合金电导率的影响 1 1, 2 1 2 2 李斌 ，杨昭 ，杨续跃 ，李绍康 ，许德英 (1. 中南大学 材料科学与工程学院，湖南 长沙，410076； 2. 广州钢铁集团，广东 广州，510381) 摘要：通过电导率测量、金相观察、扫描电镜分析(SEM)和 X 线衍射分析(XRD)，研究 Si 和 Cu 对 Al-Si 系合金 晶格常数和电性能的影响规律。研究结果表明：随着 Si 和 Cu 质量分数的增大，Al 基体晶格畸变程度增大，Al-Si 合金电导率下降；Cu 对 Al-Si 合金电导率的影响比 Si 对合金电导率的影响显著；经过 450 ℃×5 h+250 ℃×2 h 热处理工艺，Al 基体晶格畸变程度明显降低，Al-Si 合金电导率明显提高，增幅最高可达 32.36% ；Si 和 Cu 对 Al-Si 合金电导率的影响机制不同，Si 质量分数的变化对 Al 基体晶格畸变程度影响较小，Si 对 Al-Si 合金电导率的影响 可依据复合材料电阻率计算公式推导，而 Cu 的影响可根据Al 晶格常数偏离量来推导。 关键词：晶格畸变；电导率；Al-Si 合金 中图分类号：TG146.2 文献标志码：A 文章编号：1672−7207(2015)11−4028−06 Effects of Cu and Si on conductivity of Al-Si alloys through lattice distortion measurement 1 1, 2 1 2 2 LI Bin , YANG Zhao , YANG Xuyue , LI Shaokang , XU Deying (1. School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China; 2. Guangzhou Iron and Steel Group, Guangzhou 510381, China) Abstract: The effects of Cu and Si on the lattice constant and electrical properties of Al-Si alloys were investigated by conductivity measurement, optical microscope, scanning electron microscope(SEM) and X-ray diffraction(XRD). The results show