压电单晶和压电陶瓷都是脆性材料.pptVIP

在电场强度、电位移和应力、应变这四组变量中,可以任选一组力学量和一组电学量作自变量,这就有四种情况,有四组压电方程。 (1)选取应变分量Sk和电位移分量Dj为独立变量,得到h型压电方程 式中,cDhk是电位移不变(恒电位移)时的弹性常数或开路弹性常数;βSij是应变不变(恒应变)时的介质隔离率(也称倒介电常数)或受夹介质隔离率;hjh、hik称为压电刚度常数,简称压电常数。 (2)选取电场强度分量Ej和应力分量Tk为独立变量,得到d型压电方程 式中,sEhk是恒电场下的柔性常数,也称短路柔性常数;εTij是恒应力下的介电常数,也称自由介电常数;djh、dik称为压电应变常数,简称压电常数。 (3)选取应力分量Tk与电位移Dj为独立变量,得到g型压电方程 (4)选取应变分量Sk与电场强度分量Ej为独立变量,得到e型压电方程 在压电方程中,弹性常数、柔性常数各有36个,压电常数有18个,介电常数、介电隔离率各有9个。由于晶体的对称性,独立的常数将有不同程度的减少。例如常用的压电材料,石英晶体和压电陶瓷的压电方程如下: 石英晶体属32点群(三角晶系),由其常数矩阵可写出其d型压电方程,即 6.1.3 压电材料 石英晶体是最早应用的压电材料,至今石英仍是最重要的也是用量最大的振荡器、谐振器和窄带滤波器等元件的压电材料。随着压电传感器的大量应用,在石英之后研制出了许多人造晶体,如罗息盐、ADP、KDP、EDT、DKT和LH等压电单晶体。但由于它们的性能存在某些缺陷,后来随着人造压电石英的大量生产和压电陶瓷性能的提高,这些人造单晶体已逐渐被取代了。 现今压电传感器的材料大多用压电陶瓷。压电陶瓷的压电机理与单晶不同,是利用多晶压电陶瓷的电致伸缩效应。极化后的压电陶瓷可以当作压电晶体来处理。当前常用的压电陶瓷是锆钛酸铅(PZT)。另外,铌酸锂和钽酸锂大量用作声表面波(SAW)器件。此外,氧化锌和氮化铝等压电薄膜已是当今微波器件的关键材料。 压电单晶和压电陶瓷都是脆性材料。而以聚偏二氟乙烯(PVDF)为代表的压电高聚物薄膜,压电性强,柔性好,特别是声阻抗与水和生物组织接近,是制作传感器的良好材料。用压电陶瓷和高聚物复合而成的压电复合材料也已在压电传感器领域中得到应用。 6.2 压电加速度传感器 6.2.1 压电加速度传感器的工作原理 1.原理 图6.2为压电加速度传感器的原理图。它由质量块、压电元件和支座组成。支座与待测物刚性地固定在一起。当待测物运动时,支座与待测物以同一加速度运动,压电元件受到质量块与加速度相反方向的惯性力的作用,在晶体的两个表面上产生交变电荷(电压)。 当振动频率远低于传感器的固有共振频率时,传感器的输出电荷(电压)与作用力成正比。电信号经前置放大器放大,即可由一般测量仪器测试出电荷(电压)大小,从而得知物体的加速度。 ? 2.灵敏度公式的推导 如图6.3所示,作用于压电元件两边的力为 式中,l为晶片厚度。平均力为 式中,A为晶片电极面面积。质量块一般采用质量大的金属如钨或其他金属制成,而晶片很薄,即有Mm,故上式通常写为 Q=d33Ma a=g(重力加速度)时得到的电荷Q值,常称为灵敏度,单位记为C/g,即灵敏度为一个g产生的电荷。上式为灵敏度的电荷表示法。灵敏度亦可用开路输出电压表示,因为 式中,Cd为晶片的低频电容(自由电容) 3.固有共振频率 由上面的灵敏度公式可见,在低频时灵敏度是一常数,它和压电常数成正比,和质量块的质量成正比。在较高的频率下该公式不适用,特别到传感器的固有共振频率附近,灵敏度急剧变化(增大),该公式一般在传感器固有共振频率的1/2~1/5以下使用。可以近似地把质量块看成一个纯质量(忽略其弹性),晶片看成一纯弹性元件(忽略其质量)来计算传感器的固有频率。如将晶片看成一弹簧,则由定义可求出其劲度系数为 式中,E为压电晶片的杨氏模量。则固有频率 6.2.2 压电加速度传感器的结构 图6.4(a)为常用的压缩式压电加速度传感器。这是目前最常见的一种。结构简单,装配较为方