金属双边二次电子倍增的理论分析与数值模拟-强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ， ２３ ２ Ｖｏｌ．２３ Ｎｏ．２ 　 　 年 月 ， ２０１１ ２ ＨＩＧＨ ＰＯＷＥＲＬＡＳＥＲＡＮＤＰＡＲＴＩＣＬＥＢＥＡＭＳ Ｆｅｂ． ２０１１ 　 　 文章编号： （ ） １００１４３２２２０１１０２０４５４０９ 　 金属双边二次电子倍增的理论分析与数值模拟 董 烨， 董志伟， 杨温渊 　 　 　 （北京应用物理与计算数学研究所，北京 １０００８８） 摘 要： 针对金属双边二次电子倍增现象，分析给出了电子共振方程、共振相位、相位聚焦条件以及碰撞 　　 　 　 电势；并根据二次电子发射的材料特性，研究了金属双边二次电子倍增的敏感区间。利用蒙特卡罗方法抽样选 取电子初始发射能量和角度，数值研究了二次电子倍增的敏感区间，并与理论结果进行了比对，给出了二次电 子数目随时间的增长关系。利用材料二次发射特性的经验公式，辅以电子碰撞角和碰撞能量计算以及对二次 电子初始能量和发射角度的蒙特卡罗随机抽样算法，编制了 维全电磁粒子模拟程序 的金属边界 ３ ＮＥＰＴＵＮＥ 二次电子发射功能模块，模拟金属双平板二次电子倍增过程，获得了二次电子倍增物理图像、二次电子数目随 时间演化规律等结果。模拟结果不仅验证了理论分析，还表明在合适的条件下，空间电荷限制作用将导致二次 电子倍增的饱和。 关键词： 高功率微波； 金属双边二次电子倍增； 蒙特卡罗方法； 维全电磁粒子模拟程序 ３ 　　 　 　 　 　 中图分类号： 文献标志码： ： ／ Ｏ４６２．２ Ａ 犱狅犻１０．３７８８ＨＰＬＰ０４５４ 　　 　 　　　　 　 　　 射频击穿是高功率微波产生和传输的限制因素，也是微波脉冲缩短的诱因之一，它是一系列复杂物理过程 　　 的最终结果：本底自由电子在射频场作用下碰撞金属或介质器壁表面，在合适的条件下通过二次电子倍增来实 现电子数密度的增殖，而增殖了的电子会通过与残存气体分子的碰撞电离形成弱电离等离子体；受高电磁能量 密度或强流束轰击等影响大大增强了器壁表面吸附气体的释气现象，促进器壁表面附近形成等离子体，产生放 ［］ １ 电出现击穿，进而影响束波互作用效果，并可能对器件造成暂时或永久的损坏 。因为二次电子倍增是射频击 穿的种子源，所以研究其物理过程与形成机制，提出相应的抑制措施就显得十分必要。 　　近年来，二次电子倍增现象的研究逐渐成为高功率微波器件研究的热点之一，理论工作最早可以追溯到 世纪 年代末， 等人