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2019年半导体制造工艺课件
半导体制造工艺;微电子学:
Microelectronics
微电子学——微型电子学
核心——半导体器件;半导体器件设计与制造的主要流程框架;—制造业—;沟道长度为0.15微米的晶体管;
50?m;N沟道MOS晶体管;CMOS集成电路(互补型MOS集成电路):目前应用最为广泛的一种集成电路,约占集成电路总数的95%以上。;;半导体制造工艺;图形转换:光刻;光刻;正胶:曝光后可溶
负胶:曝光后不可溶;图形转换:光刻;三种光刻方式;图形转换:光刻;图形转换:刻蚀技术;图形转换:刻蚀技术;干法刻蚀;杂质掺杂;扩 散;杂质横向扩散示意图;固态源扩散:如B2O3、P2O5、BN等;利用液态源进行扩散的装置示意图;离子注入;离子注入系统的原理示意图;离子注入到无定形靶中的高斯分布情况;退 火;氧化工艺;氧化硅层的主要作用;SiO2的制备方法;进行干氧和湿氧氧化的氧化炉示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);APCVD反应器的结构示意图; LPCVD反应器的结构示意图;平行板型PECVD反应器的结构示意图;化学汽相淀积(CVD);化学汽相淀积(CVD);物理气相淀积(PVD);蒸发原理图;;半导体工艺;集成电路制造工艺
;20世纪60年代的典型工艺;20世纪70年代的典型工艺;20世纪80年代的典型工艺;N-well CMOS 工艺;热氧化生成SiO2;
第一次光刻:打开N阱离子注入窗口;
进行N阱的离子注入与二次扩散;
刻蚀氧化物;;热氧化生成SiO2缓冲层;
CVD淀积Si3N4;
第二次光刻:定义有效沟道区域;
氮化硅刻蚀;
氧化层刻蚀;;热氧化生成场氧;
氮化硅刻蚀;
缓冲层刻蚀;
清洗表面;
阈值电压调整的离子注入;
栅氧生长;
;;第四次光刻:打开N+区的离子注入窗口;
磷注入;;光刻胶掩蔽条;
第五次光刻:P+区离子注入;;光刻胶掩蔽条;
CVD淀积SiO2;
离子注入退火;;第六次光刻:接触孔刻蚀;;金属Al淀积;
第七次光刻:生成金属化图形;;课程设计作业一;课程设计作业一;;形成N阱
初始氧化
淀积氮化硅层
光刻1版,定义出N阱
反应离子刻蚀氮化硅层
N阱离子注入,注磷;;;;Salicide工艺
淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层;
淀积Ti或Co等难熔金属
RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属;
最后形成Salicide结构;;形???N管源漏区
光刻,利用光刻胶将PMOS区保护起来
离子注入磷或砷,形成N管源漏区
形成P管源漏区
光刻,利用光刻胶将NMOS区保护起来
离子注入硼,形成P管源漏区;;;;;;AA;双极集成电路制造工艺;;制作埋层
初始氧化,热生长厚度约为500~1000nm的氧化层
光刻1#版(埋层版),利用反应离子刻蚀技术将光刻窗口中的氧化层刻蚀掉,并去掉光刻胶
进行大剂量As+注入并退火,形成n+埋层;;;;;;;;金属化
淀积金属,一般是铝或Al-Si、Pt-Si合金等
光刻6#版(连线版),形成金属互连线
合金:使Al与接触孔中的硅形成良好的欧姆接触,一般是在450℃、N2-H2气氛下处理20~30分钟
形成钝化层
在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅
光刻7#版(钝化版)
刻蚀氮化硅,形成钝化图形;隔离技术;PN结隔离工艺;绝缘介质隔离工艺;LOCOS隔离工艺;LOCOS隔离工艺;沟槽隔离工艺;接触与互连;几个概念
场区
有源区
栅结构材料
Al-二氧化硅结构
多晶硅-二氧化硅结构
难熔金属硅化物/多晶硅-二氧化硅结构;Salicide工艺
淀积多晶硅、刻蚀并形成侧壁氧化层;
淀积Ti或Co等难熔金属
RTP并选择腐蚀侧壁氧化层上的金属;
最后形成Salicide结构;封装工艺流程;各种封装类型
示意图; 半导体工艺小结; 半导体工艺小结; 半导体工艺小结
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