SJT10584-94微电子学光掩蔽技术术语.pdf

SJ 中华 人 民共 和 国电子 行 业 标 准 sJ/T10584-94 微电子学光掩蔽技术术语 Termsofphotomaskingtechnology formicroelectronics 1994-08-08发布 1994-12-01实施 中华人民共和国电子工业部 发 布 目 次 I.图形术语 ························“·················”··········...’ ···”······“···············… … (1) 2.感光材料术语 ，·，.，……，’，，···‘···········，·············“谁····················· ······一· ((3) 3.掩模版术语 ················“···················”·”········”······························…… (5) 4.曝光和蚀刻术语 ················，······……，’“”················，······.，·········“… C7) 5.电子束制版术语 ········，，·“························································”··…… (10) 6.掩模质量参数术语 ···························...，··········.，···············”·····.·..··… … (13) 7.掩模设备术语 ，，·，····························，··，··，’‘·····，·····‘·······················，·····…… (18) 8.附录A 汉语索引(补充件)…，’’··一”·…·… ‘·····································……”(20) 9.附录8 英文索引(补充件)················“·”·“·············“············..，.”一· (24) 中华 人 民共 和 国 电子 行 业 标 准 微电子学光掩蔽技术术语 s,l/T10584- 94 Termsofphotomasking technologyformicroelectronics 本标准规定了微电子学光掩蔽技术的有关术语。 本标准适用于微电子学光掩蔽技术的科研、生产、教学、贸易和技术交流. 图形术语 1底图 masterdrawing 用来制作原图的原始图样。 2原图 artwork 用绘制方法，或在玻璃板和在薄膜基片上，用切割、剥离掩蔽膜的方法而形成的图形，经 接触复印或将其缩小并分步重复照相后，可制成光掩模或中间掩模。 3 布局图 layout 以适当位置排列出的单个器件所要求的全部几何图形组成的放大图样。 4 组合图 。ompositedrawing 包含单个器件要求的所有几何图形，并以适当方位排列的放大图样。用作红膜人工切割 的准则或计算机辅助设计(参见CAD)的数字化准则.在初缩版产生的各个阶段绘制的 一系列彩色图，也可认为是组合图。组合图适用于检查设计误差. 注:器件包括分立器件和集成电路。 同义词:原图;设计图(工程图)。 5 图象 image 布图中呈现的任何单元的几何图形。(1)作为底图或布图一部分的绘制图形。(2)投影在 屏幕上或目视的光学图象，通常经过按比例的放大或缩小。(3)被氧