生长速度慢.PPT

F F F S S S K F面：形成一个强键，放出较少键能，生长速度慢 S面：形成两个强键，放出键能高于F面，生长速度比F面快 K面：形成三个强键，放出键能最多，生长速度最快 结论：强键越少，晶面生长速度慢，越容易成为主要晶面 §2.5影响晶体生长的外部因素 1.涡流 由于溶质的析出和结晶潜热的释放，在生长 晶体周围，溶液的密度相对下降，导致溶液上向 移动，稍远处的溶液补充进来由此形成涡流。 涡流使生长晶体的物质供应不均匀。 温度的变化直接导致了过饱和度或过冷却度的变化，相应的改变了晶面的比表面能及不同晶面的相对生长速度，影响晶体形态。 2.温度 例如，方解石（CaCO3）晶体在温度较高时，呈扁平形态； 地表常温下则长成细长晶体。 片状轻质碳酸钙 3.杂质 溶液中杂质常选择性的吸附在某种晶面上。杂质的存在可以改变晶体上不同晶面的相对生长速度,从而影响晶体形态。 4.介质粘度 粘度的加大，影响物质的运移和供给。由于晶体的棱和角部分比较容易接受溶质，生长得较快，晶面的中心生长得慢，甚至完全不长，从而形成骸晶。 石盐的骸晶 5.各组分的相对浓度 对于化合物晶体，当介质中各组分的相对浓度发 生变化时，会导致晶面生长速度的相对变化，从而 影响晶形。 介质富Al2O3 介质富Y2O3 钇铝榴石（Y3Al5O12）的晶形 §2.6晶体的溶解与再生 1．晶体的溶解 把晶体置于不饱和溶液中晶体就开始溶解。由于角顶和棱与溶剂接触的机会多，所以这些地方溶解得快些，因而晶体可溶成近似球状。 晶面溶解时，将首先在一些薄弱地方溶解出小凹坑，称为蚀像。 思考: 晶面的溶解速度与晶面的面网密度有没有关系？ 不同网面密度的晶面溶解时，网面密度大的晶面先溶解，因为网面密度大的晶面网面间距大，容易破坏。 2．晶体的再生 破坏了的和溶解了的晶体处于合适的环境又可恢复多面体形态，称为晶体的再生. 晶体溶解时，溶解速度是随方向逐渐变化的，因而晶体溶解可形成近于球形； 晶体再生时，生长速度随方向的改变而突变．因此晶体又可以恢复成几何多面体形态。 注意 溶解和再生不是简单的相反的现象。 从低温溶液中生长晶体是一种最古老的方法。 原理：将原料（溶质）溶解在溶剂中，采取适当措施造成溶液的过饱和状态，使晶体在其中生长。 优点（1）晶体在远低于熔点的温度下进行。 （2）降低粘度。 （3）容易长成大块的、均匀性良好的晶体。 （4）在多数情况下，可直接观察晶体生长。 缺点：组分多，影响因素多，生长速度慢，周期长。 具体方法很多，比如降温法，蒸发法。 1、 常温溶液生长 §2.7 人工合成晶体 2、高温溶液法 原理：高温下从溶液或熔融盐溶剂中生长晶体，可以使溶质相在远低于熔点的温度下进行。 优点(1)适用性强。只要找到适当的助熔剂，就能生长晶体。 （2）许多难熔化合物或在熔点极易挥发或高温有相变，不能直接从熔体中生长优质单晶，助熔剂法由于温度低，显示出独特的能力。 缺点：生长速度慢，不易观察，助熔剂常常有毒。 具体有缓冷法和水热法。 水热法 利用高温高压的水溶液使那些在大气条件下不溶或难溶于水的物质达到过饱和度而进行晶体生长的方法。可以合成水晶、刚玉、绿柱石等。 晶体培养在高压釜中进行。上部为结晶区，悬挂有籽晶；下部为溶解区，放置培养晶体的原料，釜内填装溶剂介质。 缓冷法 高温下，在晶体材料全部熔融于助熔剂后，缓慢降温冷却，使晶体从饱和熔体中自发成核并逐渐成长的方法。 3、熔融法 从熔体中生长晶体是制备大单晶和特定形状单晶最常用和最重要的一种方法。 原理：将生长晶体的原料熔化，在一定条件下使其凝固，变成单晶。 优点：具有生长速度快，晶体的纯度和完整性高等特点。 具体方法：提拉法、坩锅下降法、水平区熔法、焰熔法等。 提拉法：在一定的温度场、提拉速度和旋转速度下，熔体通过籽晶生长，形成一定尺寸的单晶。 4、气相法 原理：拟将生长的晶体材料通过升华、蒸发、分解等转为气相，然后通过适当条件下使它成为饱和蒸气，经过冷凝结晶。 优点：生长的晶体纯度高；完整性好。 缺点：生长速度慢；有一系列难以控制的因素，比如温度，饱和比等。 主要分为： 物理气相沉积：用物理凝聚的方法将多晶原料经过气相转为单晶，如升华法。 化学气相沉积：通过化学过程将多晶原料经过气相转为单晶，气体合成法。 升华法： 在高温区将材料升华，然后输送到冷凝区成为饱和蒸气，经过冷凝成晶体。 升华法生长速度慢，应用于生长小块晶体，薄膜或晶须。 晶体生长过程实例 提拉法是一种从熔融原料中生长晶体的方法。在受控条件下，使籽晶和熔体的