等离子体刻蚀工艺的物理基础3.PDFVIP

物理学和高新技术 等离子体刻蚀工艺的物理基础 戴忠玲 　　毛 　明　　王友年 (大连理工大学物理系 　三束材料表面改性国家重点实验室 　大连 　116024 ) 摘 　要 　　介绍了等离子体刻蚀工艺背景以及有关等离子体刻蚀机理的研究进展 ,综述了等离子体刻蚀机理的研究 方法 ,着重阐述了电容耦合放电和电感耦合放电等离子体物理特性 ,特别是双频电容耦合放电等离子体和等离子体 鞘层研究中的关键问题. 关键词 　　等离子体 ,刻蚀 , 电容耦合放电, 电感耦合放电,双频 ,鞘层 The phy sics of pla sma etch ing DA I ZhongL ing　　MAO M ing　　WAN G YouN ian (S ta te Key L abora tory of M a teria ls M od if ica tion by L aser, E lectron, and Ion B eam s, D ep a rtm en t of P hy sics, D a lian Un iversity of Technology, D a lian 116024, Ch ina) Ab stract　　The background and p rogre ss in the developm ent ofp lasm a etch ing p roce sse s are reviewed. Studies of the m echan ism of cap acitively - and inductively - coup led discharge s are discu ssed, esp ecially the key p rob lem s of dual frequency cap acitively - coup led discharge and p la sm a sheath s. Keywords　　p lasm a, etch ing, cap acitivelycoup led discharge, inductivelycoup led discharge, dual frequency, sheath 把这种待加工的硅晶片放置到具有化学活性的低温 1　引言 ( ) 等离子体中 见图 1 ,进行等离子体刻蚀. 这种具有 化学活性的等离子体通常是由氯气或碳氟气体放电 目前 ,低温等离子体微细加工手段是材料微纳 产生的 ,它不仅含有电子和离子 ,还含有大量的活性 加工的关键技术 ,因为它是微电子 、光电子 、微机械 、 ( ) 自由基 如 C l , C l , F , CF 等 . 这些活性基团沉