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NMOS和PMOS的阈值电压 ： 和 【分析】 — 注入硼离子，增加了NMOS 的衬底 掺杂浓度，故增大了 ，并减少了 PMOS 的掺杂浓度，故减小了 。 — 增加栅氧化层厚度，可同时增大 和 ，从而场氧化层比栅氧化层 的 大得多，因此栅下比场下更 易形成反型沟道。 黄君凯 教授 图9-26 阈值电压与衬底掺杂和栅氧厚度关系（ 多晶硅栅） 9.3.3 CMOS技术 （1） CMOS反相器 CMOS 的基本结构 黄君凯 教授 图9-25 CMOS反相器结构 （2）阱形成技术 阱结构 黄君凯 教授 图9-26 （a）P 阱（b）N 阱（c）双阱（孪生阱） 闩锁效应（闭锁） CMOS电路中由于寄生效应而可能在 和 电源线之间建立一条低阻通路，从而流过大电流使电路停止工作甚至过热自毁的效应。 黄君凯 教授 图9-27 CMOS的闭锁效应 【解决方法1】倒置阱工艺：通过高能离子把杂质分布的峰值注入到 衬底某一深度，杂质浓度从这个深度到表面逐渐减少的 阱工艺。 【分析】在寄生双极晶体管中形成一个滞后场，降低了闭锁可能性。同 时，既可避免衬底结向沟道结延伸（形成沟道隔离），又可避 免沟道耗尽层向阱底延伸（减小源漏之间击穿）。 黄君凯 教授 图9-28 倒置阱中掺杂浓度分布 【解决方法2】深槽隔离：采用再填充工艺形成深槽，实现P 沟和N 沟之 间的完全隔离。 黄君凯 教授 图9-29 深槽隔离 （3）先进的隔离技术（ 技术） 常规隔离不适合于深亚微米工艺原因 — 沟道隔断杂质侵蚀有源区导致 漂移 — 场氧化使得有源区面积缩小 — 场氧化层厚度变小 先进隔离技术 — 深窄槽隔断结构 （深度 ，宽度 ） 黄君凯 教授 图9-30 深窄槽隔断工艺 （适用于CMOS或双极器件） — 浅槽隔断（适用于CMOS） 黄君凯 教授 图9-31 浅槽隔断 （B注入形成隔断区） 隔断区 难于抛光，充当CMP工艺阻挡层 （4）栅工程技术 单层多晶硅栅的CMOS 结构（常规长沟道） — PMOS 的隐埋沟道：由于采用硼注入调整 而形成隐埋沟道。 【缺点】在深亚微米工艺下，由于短沟道效应形成较大的泄漏电流。 黄君凯 教授 图9-32 隐埋沟道的常规CMOS 结构（单层 多晶硅栅） 漏极工程LDD — 轻掺杂漏极工程LDD：降低漏极区场强 黄君凯 教授 图9-33 常规漏极工艺 图9-34 LDD漏极工程 双层多晶硅栅的CMOS 结构（短沟道） — PMOS 的表面沟道：采用 多晶硅栅改变功函数而实现 调整 黄君凯 教授 图9-36 双栅结构的深亚微米CMOS结构 图9-35 不同沟道对 影响 不适应于短沟道 离子注入 — 奔腾4 芯片： CMOS 技术，6 层铝布线，面积 ， 4200 万个元件。 黄君凯 教授 图9-37 32 位奔腾4 微处理器芯片 9.3.4 BiCMOS 技术 （1）BiCMOS