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- 2019-02-25 发布于天津
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实验报告
实验部门:市场部 实验员:王亚东、刘丛辉、王超、谢新宇 2018.09.04-22
实验名称:磁控溅射镀Mg 膜
实验目的:利用射频磁控溅射方法制备高纯度Mg 膜
实验设备:VTC-16-SM、VTC-3RF 磁控溅射仪、分子泵、氩气、Mg 靶、射频电源、冷风机
实验结论:
(1)实现预期结果,在Cu 基片上镀Mg 膜;
(2)利用VTC-16-SM 磁控溅射,当溅射2h 时,靶头区域温度过高,导致粘贴在阴极
罩表面的3M 胶融化,易污染样品;
(3)靶基距影响样品表面Mg 的百分比含量。
实验分组:
组别 仪器 溅射气压 溅射功率 溅射时间 基台温度 靶基距
第一组 VTC-16-SM 11.5mTorr 21W 2h 未加热 45mm
第三组 VTC-3RF 1.8Pa 80W 1h 300℃ 70mm
第四组 VTC-3RF 1.8Pa 80W 1h 300℃
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