临场沉积法成长矽奈米晶体在SONOS记忆体元件之研究In-逢甲大学.PDF

報告題名： 臨場沉積法成長矽奈米晶體在 SONOS 記憶體元件之研究 In-Situ Growth of Si-NCs in Si3N4 for SONOS Memory 作者：陳哲偉 曾柏皓 系級：電子四乙 學號：D9329423 開課老師：李景松 老師 課程名稱：化合物半導體元件 開課系所：電子工程學系 開課學年：九十六學年度 第ㄧ學期 臨場沉積法成長矽奈米晶體在 SONOS 記憶體元件之研究 摘要 我研究的目的是使用的臨場(In-Situ)沉積法來成長我的資料儲存 層 (Storage Layer) ，首先利用此方法完成混合式(Hybrid) ONO 堆疊形 成載子捕捉層(Trapping Layer)堆疊結構做為研究主軸，因為資料保存 特性(Retention)是被受重視，所以使用奈米晶體 (NC’s) ，能使資料更 不容易漏失，也就是漏電流更小，由於這樣方法可以大幅降低製程的 時間及簡單性，在製作多層的 資料儲存層時更顯得出此製程的方便 性，且完全相容於 CMOS的標準製程。除此之外由於有文獻指出矽 奈米晶體成長在二氧化矽(SiO2)與成長在氮化矽上時有不同的密度， 所以我們成長在奈米晶體之前先沉積一層薄的氮化矽，這樣除了可以 增加奈米晶體密度之外，還可以增加元件的資料保存特性。 本實驗將以混合式的矽奈米晶體與氮化矽為研究主軸做探討，觀 察使用通不同流量與二氯矽烷(DCS)時間所成長的矽奈米晶體，分別 作了四個不同尺寸，而其形成的品質與不同氮化矽厚度對元件的保存 特性有不同的影響。然後首先完成電容結構對此種堆疊結構作C-V 分析與量測。並且預期利用此成長方式的閘極結構能有記憶體應有的 電容特性後，再製作元件來量測元件特 性與可靠度。最終我們證實製 程的可行性與優異的元件特性。 關鍵字：臨場沉積法、矽奈米晶體、奈米點、資料保存性 1 逢甲大學學生報告 ePaper(2007 年) 臨場沉積法成長矽奈米晶體在 SONOS 記憶體元件之研究 目 錄 目錄 ………………………………………………………….…………2 圖、表目錄 ………………………………………………….…………4 第一章 緒論 ……………………………………………….…………..8 1.1 非揮發式快閃記憶體之概要………………….………….8 1.2 奈米晶體記憶體和 SONOS記憶體之緒論 ……….……..11 1.2.1 SONOS記憶體 …………………….……….……….11 1.2.2 奈米晶體記憶體………………….………..………..12 1.3 動機 ……………………………………………….……13 1.4 專題架構 ………………………………………….….……14 第二章 記憶體操作原理與元件製程 ……………………….……..…17 2.1 緒論 ……………………………………..……….……….17 2.2 記憶體操作原理 …………………………...…….………18 2.2.1 寫入操作 ………………………………….………..18 2.2.2 抹除操作…………………………….……………..19 2.3 製作流程………………………………………………21 2.3.1 電容製程 ……………………………….……..……21 2.3.