单晶薄膜Nd075Sr125CoO4的输运性质.pdfVIP

单晶薄膜Nd0.75Sr1.25CoO4 的输运性质1 黄胜利，阮可青，吕章明，吴会燕，林春华，曹烈兆 中国科学技术大学结构分析开放实验室，物理系，合肥 （230026 ） 摘 要：在(100)-LaAlO (LAO)和(100)-LaSrAlO 基片上外延生长了 Nd Sr CoO 单晶薄 3 4 0.75 1.25 4 膜。利用电阻率和热电势随温度的变化关系研究了薄膜 ab 面的输运性质。在整个测量温区 (70 K T 310 K) 内电阻率都呈半导体特征，热电势为正值，表明薄膜是P 型半导体。在 210 K 附近热电势值发生跃迁，这源于材料从顺磁相进入Griffiths 相载流子受自旋散射的作 用减弱。电阻率在高温区满足热激活模式，而低温区只能用二维变程跃迁模式解释。但对于 热电势只能用 Zvyagain 公式或热激活模式拟合而不能单纯用变程跃迁模式。结果显示薄膜 的热输运在整个温区内二维变程跃迁占主导位置，这可