碲化镉、铜铟镓硒太阳能电池.pptVIP

碲化镉太阳能电池 CIGS电池的发展历史及研究现状 结构 效率 1963年 Cusano N-CdTe/P-Cu2-xTe 7% 1991年 T. L. Chu N-CdS/P-CdTe 13.4% 2001年 X. Wu N-CdS/P-CdTe 16.5% 2011年 First Solar 17.3% 2011年 GE 12.8%（组件） 1969年 Adirovich CdS/CdTe 10cm*10cm小型碲化镉薄膜太阳能电池模组 碲化镉薄膜太阳能电池组件 CdTe薄膜太阳能电池的优点 CdTe是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，为直接带隙半导体。吸收系数高达104cm-1,电池厚度可做到2~3微米,降低昂贵的材料成本 带隙宽度为1.5eV,CdTe的光谱响应和太阳光谱非常匹配——碲化镉薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约为28% Cd-Te化学键的键能为5.7eV——一般的碲化镉薄膜太阳能电池的设计使用时间为20年 单质Cd和Te相遇只能存在固态的CdTe——产品均匀性、良品率高，非常适合大规模生产 真空环境，温度高于4000C， CdTe升华，温度低于4000C或气压升高，升华减弱，并凝结成固体——真快快速薄膜制备 弱光特性好.对光照不理想的地区犹显其优异性能. 常用太阳电池材料的光吸收系数 CdTe薄膜太阳能电池的缺点 Te是稀缺材料 Cd本身有毒 Cd CdTe薄膜太阳能电池的结构 CdTe薄膜的制备工艺 CdTe薄膜： 商业化生产：近空间升华（CSS）、气相输 运沉积（VTD）和磁控溅射 近空间升华（CSS） 小面积单体电池研究机构 Matsushita USF SCI CSM NREL 大面积单体电池研究机构 BP Solar SCI GP Matsushita 开路电压/V / 0.845 0.839 0.778 0.823 功率/W 38.2 61 27.2 10 面积/cm2 1.0 0.928 0.27 0.10 0.69 面积/cm2 4540 6728 3528 1200 转换效率/% 16 15.8 13.3 12.9 12.8 转换效率/% 8.4 9.1 7.7 8.7 铜铟镓硒太阳能电池 CIGS电池的发展历史及研究现状 70年代Bell实验室Shaly等人系统研究了三元黄铜矿半导体材料CIS的生长机理、电学性质及在光电探测方面的应用 1974年，Wagner利用单晶ClS研制出高效太阳能电池,制备困难制约了单晶ClS电池发展 1976年，Kazmerski等制备出了世界上第一个ClS多晶薄膜太阳能电池 80年代初，Boeing公司研发出转换效率高达9.4%的高效CIS薄膜电池 80年代期间，ARCO公司开发出两步(金属预置层后硒化)工艺，方法是先溅射沉积Cu、In层，然后再在H２Se中退火反应生成CIS薄膜，转换效率也超过10% 1994年，瑞典皇家工学院报道了面积为0.4cm２效率高达17.6%的ClS太阳能电池 90年代后期，美国可再生能源实验室(NREL)一直保持着CIS电池的最高效率记录，并1999年，将Ga代替部分In的CIGS太阳能电池的效率达到了18.8%，2008年更提高到19.9% CIGS薄膜太阳能电池的优点 材料吸收率高,吸收系数高达105量级,直接带隙,适合薄膜化,电池厚度可做到2~3微米,降低昂贵的材料成本 光学带隙可调.调制Ga/In比,可使带隙在1.0~1.7eV间变化,可使吸收层带隙与太阳光谱获得最佳匹配 抗辐射能力强.通过电子与质子辐照、温度交变、振动、加速度冲击等试验,光电转换效率几乎不变.在空间电源方面有很强的竞争力 稳定性好,不存在很多电池都有的光致衰退效应 电池效率高.小面积可达19.9%,大面积组件可达14.2% 弱光特性好.对光照不理想的地区犹显其优异性能. CIGS的晶体结构 CuInSe2黄铜矿晶格结构 CuInSe2复式晶格:a=0.577,c=1.154 直接带隙半导体，其光吸收系数高达105量级 禁带宽度在室温时是1.04eV，电子迁移率和空穴迁移率分3.2X102(cm2/V·s)和1X10(cm2/V·s) 通过掺入适量的Ga以替代部分In，形成CulnSe2和CuGaSe2的固熔晶体 Ga的掺入会改变晶体的晶格常数，改变了原子之间的作用力,最终实现了材料禁带宽度的改变，在1.04一1.7eV范围内可以根据设计调整，以达到最高的转化效率 自室温至810℃保持稳定相,使制膜工艺简单, 可操作性强. CIGS薄膜太阳能电池的结构 金属栅电极 减反射膜(MgF2) 窗口层Z