基于CMOS工艺的射频前端关键模块的研究与设计-电子与通信工程专业论文.docxVIP

摘 摘 要 I万方数据 I 万方数据 摘 要 本论文主要研究基于RF CMOS工艺射频前端的低噪声放大器、射频功率放大 器、射频收/发开关。其中，针对低噪声放大器研究了基于IEEE 802.11a协议，工作 频率为5.15-5.825GHz的宽带型和应用于CMMB的S波段，工作频率为2.635-2.660GHz 的窄带型。功率放大器和射频收/发开关都基于IEEE 802.11g协议，工作于2.45GHz。 设计均使用Cadence Spectre RF仿真器进行仿真，并对大部分设计进行了流片测试。 基于IEEE 802.11a的低噪声放大器，选用源级电感负反馈结构，实现了良好的输 入匹配。后仿真结果表明，增益大于16.03dB，最大噪声系数和输入三阶截点分别为 2.565dB、-2.15dBm。应用于CMMB的可变增益的低噪声放大器，后仿真结果表明： 高增益时，功率增益S21大于10.55dB，噪声系数NF小于1.27dB，输入三阶截点IIP3为 1.8dBm，功耗为7.9mW。低增益时，后仿真功率增益 S21 大于-10.37，噪声系数NF为 8.42到8.53dB，IIP3为15.38dBm。 基于IEEE 802.11g的功率放大器的设计采用55nm CMOS工艺，使用两级结构， 电路工作于AB类，输入输出均采用片外匹配。后仿真结果表明在输入1dB压缩点为 -0.46dBm时，输出1dB压缩点为23.2dBm，功率附加效率PAE为25.89%。 射频收/发开关使用单刀双掷结构，采用55nm CMOS工艺。由于发射和接收链 路电路结构对称，后仿真结果类似：输入输出回波损耗均小于-13dB，插入损耗为 1.5dB，隔离度为23dB。特别地，对于发射链路，输入1dB压缩为23.66dBm；对于接 收链路，噪声系数为1.6dB。 本论文对基于CMMB的低噪声放大器，基于IEEE 802.11g的功率放大器以及射 频收/发开关进行了流片测试。测试结果表明，基于CMMB的低噪声放大器高增益 时，S21为9.25到9.42dB，NF为1.99到2.26dB，IIP3为1.25dBm，直流功耗为7.38mw。 低增益时S21为-5.85dB到-5.70dB，NF为7.90 dB到8.99dB，IIP3为14.19dBm。基于 IEEE 802.11g的功率放大器测试直流正常，但是增益和线性度与后仿真相比下降很 多。射频收/发开关的测试损耗为5.6dB，输入1dB压缩点在16dBm，隔离度在20dB左 右。文章主体内容对各测试结果进行了详细的分析。 关键词：低噪声放大器；功率放大器；射频收/发开关；流片 Ab Abstract II II 万方数据 Abstract The main purpose of this paper is to study RF front-end modules including low- noise amplifier (LNA), power amplifier (PA) and RF trasmit/receive Switch (T/R Switch) based on RF CMOS technology. Among them, the frequent of narrow-band LNA based on IEEE 802.11a works from 5.15 to 5.825GHz, and the wide-band LNA works from 2.635 to 2.660GHz applied in S-band of CMMB. Both PA and T/R Switch work in 2.45GHz, following the IEEE 802.11g protocols. All designs are simulated with the help of Cadence Spectre RF simulator and then most of them were taped out and measured. The LNA based on IEEE 802.11a uses source inductor negative feedback circuit to achieve a better input match. The post simulation results show that the minimum gain (S21) is 16.03dB. The maximum noise figure (NF) is 2.565dB and in