地磁场测量实验方案.docxVIP

FD-MR-II磁阻效应实验仪使用说明 一、 概述 磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在T业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领 域应用十分广泛，如：数字式罗盘、交通车辆检测，导航系统、伪钞检测、位宜测量等。其小最典 型的锤化钢(InSb)传感器是一?种价格低廉、灵敏度髙的磁电阻，有着十分重要的应用价值。本实 验装置结构简单、实验内容丰富，使用两种材料的传感器：利用神化铢(GaAs)崔耳传感器测量磁 感应强度，研究怫化锢(TnSb)磁阻传感器在不同的磁感应强度下的电阻大小。学生可观测半导体 的霍耳效应和磁阻效应两种物理规律，具有研究性和设计性实验的特点，可用于理工科人学的基础 物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。 二、 仪器简介 仪器装置如下图所示： 固定及引线铜管； 3.餅化錮(InSb)磁阻传感器; 5.电磁铁直流电流源显示； 7.数字电压显示； 电磁铁磁场强度大小显示； U型矽钢片； 4.碓化稼(GaAs)霍耳传感器; 6.磁铁直流电流源调节； 8.钏化钢磁阻传感器电流调节; 电磁铁磁场强度人小调零； 1和2是给铢化钢传感器提供小于3mA直流恒流电流源; 3和4是给神化稼传感器提供电压源； 5和6是碑化稼传感器测量电磁铁间隙磁感应强度人小； 7为悬空； 12?单刀双向开关；13.单刀双向开关接线柱。 航空插头说明 三、 技术指标 双路直流电源： 直流电源I：电流0-500mA连续nJ调，数字电流表显示输出电流大小。 总流电源II：输出电流0 —3mA连续可调，供铢化钢传感器的工作电流。电流与所选取的外接电 阻的乘积小于2V。 数字式毫特仪：测量范围（P0.5T,分辨率0.0001T,准确度为1%。 四、 实验项目 用于测定通过电磁铁的电流h和磁铁间隙小磁感应强度B的关系，观测GaAs崔耳元件的崔耳 效应。 在不同磁感应强度区域，研究InSb磁阻元件的电阻值变化△ R/R（0）与磁感应强度B的关系， 求出经验公式。 外接信号发生器，可用于深入研究磁电阻的交流特性（倍频效应），观测其特有的物理现象。 五、 注意事项 盂将传感器固定在磁诙间隙中，不可弯折。 不要在实验仪附近放置具有磁性的物品。 不得外接传感器电源。 开机后需预热10分钟，再进行实验。 外接电阻应大于200欧姆。 舖化钢磁电阻传感器的测量及应用 （以下实验讲义和实验数据由复旦大学物理实验教学中心提供） 【实验目的】 测虽佛化锢传感器的电阻与磁感应强度的关系。 作出钏化钢传感器的电阻变化与磁感应强度的关系曲线。 对此关系曲线的非线性区域和线性区域分别进行拟合。 【实验原理】 一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当 半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产牛枳聚电 荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大 于该速度的载流子将发牛偏转，因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少，电阻增大，表现出 横向磁阻效应。若将图1中a端和b端短路，则磁阻效应更明显。通常以电阻率的相对改变量来表 示磁阻的大小，即用Ap/p (0)表示。其中P (0)为零磁场时的电阻率，设磁电阻在磁感应强 度为B的磁场中电阻率为P (B),则A p = p (B) -p (0)o由于磁阻传感器电阻的相对变化率△ R/R (0)正比于△ P/P (0),这里AR=R (B) -R (0),因此也可以用磁阻传感器电阻的相对改变 量4R/R (0)来表示磁阻效应的大小。 图1 磁阻效应 图2所示实验装置，用于测量磁电阻的电阻值R与磁感应强度间的关系。实验证明，当金 属或半导体处于较弱磁场中时，一般磁阻传感器电阻相对变化率AR/R (0) .il｛比于磁感应强度B的 平方，而在强磁场中AR/R (0)与磁感应强度B呈线性关系。磁阻传感器的上述特性在物理学和电 子学方面有着重要应用。 如果半导体材料磁阻传感器处于角频率为3的弱正弦波交流磁场中，山于磁电阻相对变化量A R/R(0) I1-：比于则磁阻传感器的电阻值R将随角频 图2测量磁电阻实验装置 那么磁阻传感器的电阻R将随角频率23作周期性变化。即在弱正弦波交流磁场屮，磁阻传感 器具有交流电倍频性能。若外界交流磁场的磁感应强度B为 TOC \o 1-5 \h \z B二B)COS 3 t (1) 式中，B。为磁感应强度的振幅，3为角频率，t为时间。 设在弱磁场屮 △R/R(0)=KB2 (2) 式中，K为常量。由(1)式和(2)式可得 R (B) =R (0) + A R二R (0) +R (0) X [ A R/R (0)] =R (0) +R(0)KBo2COS2 w t =R (0)+-R(0)KBo2+ 丄