金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展.pdfVIP

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2019-06-13 发布于广东
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金属氧化物IGZO薄膜晶体管的最新研究进展.pdf

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刘翔等：金属氧化物IGZO 薄膜晶体管的最新研究进展文章编号：1006-6268（2010）10-0028-05 技金属氧化物IGZO 薄膜晶体管的术交流最新研究进展 1 1 1 1 2 1 刘翔，薛建设，贾勇，周伟峰，肖静，曹占峰（1. 京东方科技集团股份有限公司TFT-LCD 器件与材料技术研究所，北京 100176 ； 2. 山东省泰山学院物理与电子工程学院，山东泰安271021 ）摘要：最近几年，金属氧化物 IGZO 薄膜晶体管成为研究热点，具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，备受人们关注。文章综述了制作金属氧化物IGZO 晶体管的结构及其优缺点，总结了影响金属氧化物IGZO 薄膜晶体管性能的因素，并提出了制作高性能金属氧化物IGZO 薄膜晶体管的方法。关键词：薄膜晶体管；氧化铟镓锌；氧化物；器件结构中图分类号：文献标识码： TN383.+1 B The Recent Research Progress of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors 1 1 1 1 2 1 LIU Xiang , XUE Jian-she , JIA Yong , ZHOU Wei-feng , XIAO Jing , CAO Zhan-feng , (1. TFT-LCD Device Material Technology Research Center, BOE Technology Group Co., Ltd., Technology Research Institute, Beijing 100176, China; 2. Physics and Electronic Engineering College, Taishan University, Taian Shandong 271021, China) Abstract: Recently, amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors (a- InGaZnO TFT) have attracted considerable attention for their outstanding merits, such as high mobility, good stability and simple fabrication process. This article reviews the device structure, advantages and disadvantages of a- IGZO TFT. We also summarize the impact a- IGZO TFT performance factors. In addition, the new methods of developing high performance and stab