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几种原子的磁矩 原子 磁矩 (A· m2) H 9.27×10-24 He 0 Li 9.27×10-24 O 13.9×10 -24 Ne 0 Na 9.27×10 -24 Fe 20.4×10 -24 弱磁质的磁化 (1) 抗磁质 分子固有磁矩为零, 但在外磁场中会产生感应磁偶极矩 方向与外磁场方向相反 I ’: 磁化电流、束缚电流 由分子内的电荷运动形成的圆电流一段段接合而成。 与之对比: 传导电流(及其它自由电荷宏观移动形成的电流)叫自由电流 I0 。 (2) 顺磁质的磁化 2) 与 的关系 磁化强度 1) 定义:单位体积内分子磁矩的矢量和叫做磁化强度 单位:A/m 矢量点函数。 若介质中各点 相同,则称之为均匀磁化。 Pmi :第 i 个分子的磁矩 ΔV 实验证明: 各向同性的均匀抗磁质或顺磁质中 μr :介质的相对磁导率 三、磁化强度与磁化电流 磁化电流 n:单位体积内的分子数 中心在柱内的分子数: nsdl cos? dI ’= I m n s dl cos ? dI ’= M dl cos? I m s :分子磁矩的大小 I m s n:磁化强度的大小 l Im s θ 面束缚电流密度 j ’ 定义: 均匀磁介质或均匀磁化的磁介质中,体磁化电流密度为零。 l I ’ dl I0内 : 金属中的传导电流和其它由自由电荷的宏观定向移动形成的电流。(自由电流) 的环路 定理 四 的环路 定理 磁场强度 定义: (μ= μ0 μr :介质的磁导率) B与H点点对应。 单位:A/m 例:无限长直螺线管,电流为 I,单位长度的匝数为 n,管内充满磁导率为μr 的均匀介质,求管内的磁感应强度。 解: . . . . . . × × × × × × a b d c L 由H的环路定理 H L = n I L H = n I B = μ0 μr H = μ0 μr n I B外=0 方向: 例:长直单芯电缆。芯为半径为 R 的金属圆柱体,它与导电外壁间充满相对磁导率为μr 的均匀介质。现有电流 I 均匀地流过芯的横截面并沿外壁流回,求:磁介质中的磁感应强度的分布。 I 解: r = I B = μ0 μr H 磁力线为在与电缆垂直的平面内的一系列同心圆。 电场 磁场 点电荷电场 电流元磁场 无限长直电流 I B 无限大载流平板 无限长带电线 s 无限大均匀带电平面 电磁学基本公式 i B B 电磁学基本公式 电场 磁场 电极化强度 磁化强度 电感应强度 磁场强度 电磁学基本定理 电场 磁场 介质 静电场 介质 作 业 (大学物理学 下册P92习题) 9.2, 9.6, 9.8, 9.10, 9.11, 9.13, 9.14, 9.17, 9.18, 9.21, 9.24, 9.25, 9.28 *量子霍耳效应 (The Quantum Hall Effect) Hall 电阻 RH h : Plank’s Constant 1980年, 德国物理学家Klaus von Klitzing 发现低温、强磁场时, 对半导体 n=2 n=3 n=4 B( T) UH (mV) O 5 10 15 300 200 100 分数 Hall Effect UH 与 B 间 成线性关系 *五 铁磁质 1、铁磁质的特性 1). μr 很大,其值随磁场强度变化 N:匝数 2). 磁滞效应 起始磁化曲线 H B O H μr 磁滞回线 -Br (剩磁)Br (矫顽力)-Hc 磁饱和 反向磁饱和 Hc B H o 2、磁畴 磁畴:线度 10-4 cm 的磁畴中,所有原子磁矩的方向均沿着一个方向排列。 纯铁 硅铁 钴 磁畴 磁滞损耗 在交变电磁场中,铁磁质的反复磁化将引起介质的发热,称为磁滞损耗。 实验和理论都可以证明,磁滞损耗和磁滞回线所包围的面积成正比 B H 居里点 温度升高到一定值,铁磁质变为顺磁质,这一温度为居里点. * 载流导线产生磁场,载流导线在磁场中受安培力 §9.6 磁场对载流导线的作用 一、 安培力 安培力公式 S I I B F 整个载流导线所受的磁力为: 1、单个稳定的电流元是不存在的 2、积分意义:电流元受力的公式的意义在于通过它积分可求出任意稳定电流的受力. 为电流元所在处的外磁场 不包括电流元自身的磁场 理解: 关于安培力的几点说明: a b 例:均匀磁场中有一弯曲的导线 ab,通有电流 I,求此段导线受到的磁场力。 解: ? 方向: 大小: a b x y O 若导线闭合 F = 0 闭合线圈在均匀磁场中受到的磁场力为
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