半导体二极管及其基本电路 1.pptVIP

* 图 温度对二极管伏安特性的影响 1.3.4 二极管的温度特性 * 小结： 1.3.1 半导体二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的参数 1.3.4 二极管的温度特性 * 1.4 二极管的基本电路及其分析方法 1.4.1二极管电路的简化模型分析方法 1.4.2 二极管电路分析 * 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 理想模型：当二极管正向电压和正向电阻与外接电路的电压与电阻相比均可忽略时，这样的二极管可称为理想二极管。 二极管V-I 特性的建模 * 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 理想二极管在电路中相当于一个理想开关： 外加电压少大于零，就导通，管压降为0V——开关闭合； 当反偏时，二极管截止，其电阻为无穷大——开关断开。 二极管V-I 特性的建模 * （2）恒压降模型：当二极管的正向压降与外加电压相比不能忽略，可用由理想二极管和电压源UF串联构成的模型来近似替代。 正向压降不再认为是0，而是接近实际工作电压的某一定值UF，且不随电流变化。 1.4.1