半导体物理学第五章.pptVIP

两边微分得： (2)(3)代入(1)得: 同理对于空穴也有: 爱因斯坦关系式 这样，在非简并条件下，电子浓度为： (3) (2) (1) 利用爱因斯坦关系，可得半导体中总电流密度为 对于非均匀半导体，上式可改写为 ---半导体中同时存在扩散和漂移运动时的总电流密度 表示式 5.8连续性方程 (1)??? 连续性方程 (2) 连续性方程的应用 连续性方程：在半导体材料中同时存在载流子的漂移、扩散、复合和产生时，描述这些作用的总体效应的基本方程。 连续性方程基于粒子数守恒，即单位体积内电子增加的速率等于净流入的速率和净产生率之和。 ★ 连续性方程的一般形式 连续性方程—漂移运动和扩散运动同时存在时,少子所遵守的运动方程. 讨论少子浓度的变化: ? 扩散引起少子浓度变化; ? 非平衡子复合引起少子浓度变化； ?当存在电场,漂移引起少子浓度变化; ? 外界因素产生非平衡子. 5.8 连续性方程式 本节进一步讨论当扩散运动和漂移运动同时存在时，少数载流子所遵守的运动方程。 载流子的漂移和扩散 扩散积累的空穴为： 漂移积累的空穴为： 小注入条件下，复合消失的空穴数为 外界因素引起的空穴变化为： 连续性方程 若表面光照恒定，且