半导体照明基础知识.pptVIP

半导体照明 --照明领域的又一次革命 一、人类照明的历史 火—人类的文明 灯—延续历史几千年 灯—延续历史几千年 二、电光源的历史 1879年爱迪生发明白炽灯 荧光灯将电光源带入新天地 三、半导体发光二极管 半导体发光二极管 照明的革命 四、第三代半导体材料 半导体材料的分代 以硅Si为代表的半导体材料为第一代半导体材料 以砷化镓GaAs为代表的化合物半导体材料为第二代半导体材料 以氮化镓GaN为代表的宽带隙化合物半导体材料为第三代半导体材料 GaN半导体材料特点 宽带隙化合物半导体材料，有很高的禁带宽度（2.3—6.2eV)，可以覆盖红、黄、绿、蓝、紫和紫外光谱范围 ，是到目前为止其它任何半导体材料都无法达到的 高频特性，可以达到300G Hz（硅为10G，砷化镓为80G） GaN半导体材料特点 高温特性，在300℃正常工作（非常适用于航天、军事和其它高温环境） 耐酸、耐碱、耐腐蚀（可用于恶劣环境） 高压特性（耐冲击，可靠性高） 大功率（对通讯设备是非常渴望的） GaN外延片生产 通过MOCVD进行GaN单晶膜外延生长 用蓝宝石为衬底材料 用高纯氨气提供氮源 用金属有机源提供镓、铟、铝源 通过金属有机源化学气相沉积的方法 进行生长 方大集团于2001年9月在国内第一个生产出GaN基L