一种性能优异的低噪声放大器.DOC

一种900MHz频段低噪声放大器 设计方法及测试结果 长沙鼎派科技有限公司 段德钦 duandq009@163.com HYPERLINK mailto:csdpkj@163.com csdpkj@163.com 序 本文介绍一种低噪声放大器的设计方法，对初学者可能有一定的借鉴作用。 关键词： LNA：低噪声放大器 IL：插入损耗 ACPR：邻道功率比值 IM3：三阶交调 EESOF\TOUCHSTN：八十年代流行的HP公司的小型微波软件 任务的来源: 受外单位的委托，要求设计一种低噪声放大器，具体要求如下： 频率范围：820-960MHz 增益：G≥45dB 噪声系数：Nf≤1.5 带内平坦度：≤±0.2dB 线性功率：P-1≥15dBm 电调衰减：Att= 31dB (5bit) 设计框架: 1.放大器级数的考虑：由于常见器件有效实际增益为11～17dB，故此，3-4级方可满足增益要求。经对比分析我们确定了以下方案： 第一级：ATF10136 Nf=0.4dB G=13.5dB OIP3=18dBm 第二级：MSA1105 Nf=4.1dB G=10.5 dB OIP3=25dBm 第三级：SGA6586 Nf=2.6dB G=23.8dB OIP3=33dBm 在第二级与第三级之间插入数字电调衰减器，其数字电调衰减器的最小IL为1.8dB，所以，总增益约为46dB。 2.噪声系数的计算：一个放大器的噪声系数主要取决于第一、二级放大管的Nf及Gain，见以下公式： NFs=NF1+(NF2-1)/G1+(NF3-1)/(G1G2)+……(NFn-1)/(G1G2…Gn-1) 式中：NFn为第n级器件的噪声系数 Gn-1为第n-1级器件的增益 基于产品批量生产的一致性考虑，经HP的EESOF\TOUCHSTN编程计算，将第一级FET优化设计成:Nf=0.85dB Gain=13.5dB，经以上公式计算得出噪声系数理论值为1.1dB，满足指标要求。 3.线性功率考虑：线性功率小，交调指标差，它将最终影响功放的ACPR值和IM3；但是，过分地要求加大P-1，将增加电流消耗，降低了设备的可靠度，同时提高了造价，综合考虑诸多因素，SGA6586比较合适。 5bit电调衰减器选用Hittite公司的HMC273MS10G。 其它参数如频率、平坦度等由软件设计，再经调试即可达到要求。 设计过程： 设计原则：本套LNA由三级放大器组成，其中第二、三级为内部匹配式的MMIC，所以，设计重点在第一级。 模型的建立：参考Agilent公司网站资料“Application Note G004”即《S-Band Low Noise Amplifier Using the ATF-10136》 编程：（S参数可直接从网站上下载） !DESIGNED FOR 0.82-0.96GHz LNA USE Agilent ATF-10136 !CONDITION Ids=25mA Vds=2V DIM FREQ GHz IND NH CAP PF LNG MM VAR LL=12 WA=0.3 WB=0.4 WC=0.35 WD=0.32 WE=0.25 CKT MSUB ER=4.5 H=0.73 T=0.035 RHO=1 RGH=0 TAND TAND=0.035 MLIN 10 20 W=1.34 L=3 MTEE 20 30 40 W1=1.34 W2=1.34 W3^WA MLIN 30 31 W=1.34 L=0.5 MLIN 40 41 W^WA L=22.6 VIA 41 0 D1=0.76 D2=0.76 H=0.73 T=0.035 SLC 31 50 L=0.25 C=680 MLIN 50 51 W=1.34 L=0.5 MTEE 51 60 70 W1=1.34 W2=1.34 W3^WB MLIN 60 61 W=1.34 L=1 MLIN 70 71 W^WB L#4.6 48.36015 48.6 MSTEP 71 72 W1^WB W2=1.6 MLIN 72 73 W=1.6 L=4