半导体材料与工艺之-单晶半导体材料制备技术.pptVIP

完 shàn嬗 * * 4.放肩 晶颈生长完后，降低温度和拉速，使晶体直径渐渐增大到所需的大小，称为放肩。 放肩角度必须适当，角度太小，影响生产效率，而且因晶冠部分较长，晶体实收率低。 一般采用平放肩(150°左右)，但角度又不能太大，太大容易造成熔体过冷，严重时将产生位错和位错增殖，甚至变为多晶。 直拉生长工艺 5.等径生长 晶体放肩到接近所需直径(与所需直径差10mm左右)后，升温升拉速进行转肩生长。 转肩完后，调整拉速和温度，使晶体直径偏差维持在±2mm范围内等径生长。这部分就是产品部分，它的质量的好坏，决定着产品的品质。 热场的配置、拉晶的速率、晶体和坩埚的转速、气体的流量及方向等，对晶体的品质都有影响。这部分生长一般都在自动控制状态下进行，要维持无位错生长到底，就必须设定一个合理的控温曲线(实际上是功率控制曲线)。 直拉生长工艺 从晶体在炉内的外观可以判断晶体是否为无位错。100晶向生长的单晶，外观上可以见到4条等距对称的晶线，111晶向生长的单晶，外观上可以见到3条等距的晶线，一旦晶线出现异常，则无位错生长已被破坏。 在晶体生长状态下，固液界面处存在着温度径向和纵向梯度，即存在着热应力；晶体在结晶和冷却过程中，又会产生机械应力。当外界应力超过了晶体的弹性应力时，位错就会产生，以释放其外界应力。 当固液界面平坦时，热应力和机械应力都最小，有利于晶体的无位