多壁碳纳米管-酞菁铜复合物的合成表征及光电性能-Core.PDF

第26 卷 第8 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 8 2011 年8 月 Journal of Inorganic Materials Aug., 2011 文章编号: 1000-324X(2011)08-0785-07 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00785 多壁碳纳米管−酞菁铜复合物的合成表征及光电性能 1 2 吴振奕 , 杨绳岩 (1. 厦门大学 化学系, 厦门 361005; 2. 巢湖学院 化学与材料科学系, 巢湖 238000) 摘 要: 采用氯磺酸作为磺化试剂, 在多壁碳纳米管上接枝氯磺酰基, 之后通过乙二胺的胺解反应, 制备出胺基修 饰的多壁碳纳米管MWCNT-NH2, 并进一步与氯磺酰基酞菁铜反应制备出MWCNT-Pc 复合物. 产物采用红外光谱, 紫外可见, 拉曼光谱, X 射线光电子能谱, 循环伏安, 热重分析等进行了表征. 结果表明, MWCNT-NH2 上磺酰胺基 接枝在MWCNT 表面, 而MWCNT-Pc 上的酞菁基团是通过MWCNT-NH2 上的酰胺基团与Pc 形成复合物, 碳纳米 管上约 38 个碳原子结合一个磺酸基酞菁分子; 该MWCNT-Pc 复合物的热稳定性较MWCNT-NH2 低; 利用喷涂法 构筑了 ITO/MWCNT-Pc 光电极, 光电性能的研究结果表明在 AM1.5 光照条件下, 光电压及光电流分别为 0.434V 和0.158mA/cm2 ; 在320nm 处的IPCE 达19.8%, 具有较优良的光电转化性能. 根据测得的MWCNT-Pc 的能带结构, 推知MWCNT-Pc 的光诱导电子转移过程是Pc 端基发生光激发电子跃迁, 此后电子转移到MWCNTs 上并进一步传 递到ITO, 完成电荷分离. 关 键 词: 多壁碳纳米管; 酞菁铜; 光电性能 中图分类号: O614 文献标识码: A Synthesis, Characterization and Photoelectric Properties of the Copper Phthalocyanine-modied Multi-walled Carbon Nanotubes 1 2 WU Zhen-Yi , YANG Sheng-Yan (1. College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University, Xiamen 361005, China; 2. Department of Chemistry and