光电催化-欢迎访问福州大学环境.PDFVIP

光电催化 李坤林 福州大学环境与资源学院 引言 随着人类生活水平得提高和工业生产得发展，生活污水和工业废水的种类及 排放量日益增多，成分也更加复杂，这些污水中含有许多难降解有机物，如酚、 烷基苯磺酸、氯苯酚、农药、聚氯联苯、多环芳烃、硝基芳烃化合物、燃料给腐 植酸等。有些难降解有机物具有致癌、致畸、致突变等作用，对环境和人类有巨 大的危害。 用于处理废水的方法有很多种，主要有活性炭处理法、曝气法、厌氧生 物处理法、膜法、化学氧化处理法和光催化氧化处理法等。在诸多方法中，光催 化氧化法是一个具有广泛发展前途的新方法，对它的研究具有深远的意义。光催 化氧化法起源于上世纪 70 年代，主要是指采用半导体，如 TiO ， ZnO 等通过 2 光催化作用氧化降解有机物，这是近几年来研究的一个热点。将半导体材料用于 光催化降解水中有机物的研究始于近十几年。目前采用的半导体材料主要是硫族 氧化物，如 TiO 、ZnO 、CdS、WO 、SnO 等。不同的半导体的光催化活性不 2 3 2 同，对具体有机物的降解效果也有明显差别。TiO2 因其具有化学稳定性高、耐光 腐蚀、对人体无害、廉价、并且具有较深的价带能级等特点，而成为半导体光催 化研究领域中最活跃的一种物质。 多相光催化反应在环境保护中的应用日益得到人们的重视，它具有能耗低、 操作简便、反应条件温和及可减少二次污染等突出优点，能有效地将有机污染物 转化为 H O、CO 、PO 3- 、SO 2- 、NO - 、卤素离子等无机小分子，达到完全无 2 2 4 4 3 机化的目的，许多难降解或其他方法难以去除的物质如氯仿、多氯联苯、有机磷 化合物和多环芳烃等有机污染物也可以用此法有效去除。 1 半导体光催化的基本理论 1.1 半导体光化学特性 半导体光催化氧化机理是以半导体的能带理论为基础的。半导体的能带结构 由一个充满电子的低能价带(Valence band, VB)和一个空的高能导带(Conduction band, CB)组成，价带和导带之间的区域称为禁带，禁带的宽度称为带隙能(Energy band gap, Eg) 。通常将带隙能3eV 作为划分半导体和绝缘体的界限，Eg 小于 3eV 的称为半导体。 半导体的光催化氧化特性就是由它的特殊能带结构所决定的，当半导体受到 能量等于或大于禁带宽度的光照射时，其价带上的电子(e)受激发，穿过禁带进 入导带，同时在价带上产生相应的空穴(h+)如图 1 所示 。半导体的激发波长阀值 和带隙能之间具有式（1）关系，从理论上给出了光催化氧化技术对光利用的要 求。从式(1-1)可知，常用的宽带隙半导体的吸收波长阐值大都在紫外区域，而在 太阳光谱中，紫外部分仅占太阳总辐射的 5%因此如何延长激发波长一直是光催 化剂改性研究的一个重要方向。 ( ) 1 2 4 0 （1） λ n m g E ( e V ) - e E g h+ 图 1 半导体能带结构 由于禁带的存在，由光激发生成的电子与空穴并不会立刻消失，而是拥有足 够长的寿命(具有 ns 数量级)来进行电荷的分离和迁移。电子和空穴被光激发后可 以经历多种变化途径，主要为迁移－俘获与复合二个相互竞争的过程。如果光生 电子向吸附在半导体表面的有机